荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。     

CATV网路系统主干线规划设计与MHW6342T器件的应用

本文侧重讨论了院校新型ＣＡＴＶ５５０ＭＨｚ邻频传输系统的干线设计以及选用ＭＯＴＯＲＯＬＡ ＭＨＷ６３４２Ｔ器件来改善了干线放大器性能。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件

本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。     

QS系列静噪型通用阵列逻辑（GAL）器件

通用阵列逻辑器件(GAL—Generic ArrayLogic)是可编程逻辑器件(PLD—Programmable Loigic Devices)中主要的一类,其内部结构工作原理、优点及广阔的应用前景,在贵刊1993年第2期已有文章详细介绍.但是,在高速、高转换速率(slew rate)的设备中使用CMOS GAL来代换多种双极型PAL器件时,     

CCD光电系统噪声受限的探测能力分析

从光电子学的概念出发，分析了ＣＣＤ的噪声源及其特性，提出了信噪比相关的信号检测概率，建立了ＣＣＤ光电系统对点目标的探测能力公式。     

面向表面微加工工艺的微器件设计框架的研究

本文以微器件设计为对象，对微硅表面制造驱动的微器件并行设计方法学及相应的计算机辅助设计工具的开发逻辑进行了研究，提出了采用基于三层Web-ASP集成框架实现e-CAD原型工具的编程方案，其中，并行任务流管理与控制，微器件实例及设计资源库，微加工工艺规划及仿真，微器件设计评价等是该系统实现的关键要素，在此基础上将建立网上微器件设计中心，并通过应用服务机制，实现对微器件设计工具使用的商务化，以达到降低设计成本，加快MEMS产业化之目的。     

面向生产工程的虚拟制造三视图体系及工程应用

首先论述了面向生产工程的虚拟制造内涵,提出了相应的三视图体系结构,即规划视图、建模视图、优化评价视图,建立了以规划视图为主线、以建模视图为支撑、以优化评价为目标的三者耦合关系,形成了产品虚拟生产系统优化方案的三维求解空间,揭示了生产系统从产品的静态工艺信息到动态生产计划信息推进下多层次规划的演变过程,从量的优化到质的优化,并在虚拟现实环境中反映制造系统的虚拟运作.然后结合一个工程实例,阐述了虚拟生产系统规划中优化设计方案的求解演变过程,为企业真实系统的规划实施提供有效方法和途径.