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41.
MCM用低介电常数多层陶瓷基板的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过对制造低介电常数低温共烧多层陶瓷基板的低烧结温度,低价电常数的陶瓷材料进行的详细研究,着重讨论了影响介电常数的因素,制备出的多层陶瓷基板主要性能已接国外同类产品的性能。 相似文献
42.
43.
对LED TV铝基板外形加工冲压板面裂纹问题进行了分析,主要讲述了问题形成的要素和原因,并提出了相对应的改善措施。 相似文献
44.
LTCC组件技术及未来发展趋势 总被引:8,自引:0,他引:8
低温共烧陶瓷具有可实现高密度电路互连,内埋置无源元件,IC封装基板,以及优良的高频特性与可靠性,使之成为目前宇航、军事,汽车,微波与射频发刊词领域多芯片组件(MCM)最常用的技术之一。本文介绍了LTCC技术的现状及发展趋势。 相似文献
45.
利用SMT工艺将两种功率不同的LED分别与设计完全相同的热电分离式铜基板及铝基板组装成模组,然后借助结温测试系统及积分球系统对两种金属基板的散热性能进行了对比研究。结果表明,热电分离式铜基板较之热电分离式铝基板仅具备微弱的散热优势,这种优势随着LED的功率增加有所扩大。当LED功率为9 W时,铜基板及铝基板所对应的LED模组热阻分别是3.16℃/W、3.26℃/W;当LED功率为15 W时,铜基板及铝基板所对应的LED模组热阻分别是2.33℃/W、2.46℃/W。 相似文献
46.
《电子工业专用设备》2011,(4):60-60
<正>中国半导体产业的飞速发展为国际和本土半导体设备业者带来了广阔的市场。在上海新国际博览中心举办的SEMICON CHINA 2011展会上,得可盛装亮相,为客户带来了可满足半导 相似文献
47.
回顾了自1988年以来的逐次积层(SBU)层压基板的发展过程。文中报告了IBM自2000年采用的这种工艺的开发过程。这些层压基板是一种非均匀性结构,有3部分组成:芯板,积层和表面层,每一部分都是为满足封装应用的需求而开发。薄膜工艺极大提高了SBU层压基板的绕线能力,同时也使得这种工艺非常适合高性能设计。本文着重阐述了IBM在将该工艺用于ASIC和微处理器封装时,在设计、制造和可靠性测试等各个阶段所遇到的挑战。 相似文献
48.
1前言覆铜板的安全认证非常重要,是覆铜板产品进入市场的首要条件,很多国家都有进行产品安全认证的机构,但是,历史最悠久、最权威的安全认证机构非UL莫属,因此,国内的大多数覆铜板生产厂家将产品获得UL认证作为首选。 相似文献
49.
在2011年CPCA展览会上,记者看到参展的多家挠性覆铜板(FCCL)都出展了不少新产品。并且高导热性FCCL在参展的四大家挠性基板材料生产企业(华烁科技、金鼎电子、珠海亚泰、昆山雅泰)中的展品或展板中同时亮相。 相似文献
50.
《卫星电视与宽带多媒体》2011,(3):38-39
1月15日,由工信部运行监测协力局、工信部电子信息司、视像行业系会和奥维咨询联合举办的2010年度中国电子信息产业运行暨彩电行业研究发布会在京举办,视像行业协会副秘书长孙新果在总结2010年成绩时透露,围绕玻璃基板、高世代面板、模组和整机一体化以及配套产业等等投规划超过了2000亿元,初步形成五大产业集群。 相似文献