等离子体显示的动态假轮廓问题

在介绍PDP显示原理基础上，以CRT为参照说明PDP动态假轮廓的发生机理．介绍了一些消除动态假轮廓、提高图像显示质量的方法。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

富有生命力的舰船除白清洗技术

通过对舰船除白现状的剖析,说明了舰船环保节水高压射流除白技术装备研制的重要性、可行性.     

氮氧混合气体高压脉冲电晕放电等离子体的分子束质谱诊断研究

利用具有三级差分抽气系统的分子束质谱仪为检测手段，对N2，O2混合气体的线板式高压脉冲电晕放电等离子体阴极板区的正离子成分进行了诊断研究。实验结果表明：在放电反应室N2,O2混合气体压力1330～3325Pa，峰值电压4～10kV及放电重复频率10～100Hz范围内，N2^ 和O^ 流强相当，N^ 流强约为N2^ 流强的2～10倍，N^ 、N2^ 和O^ 流强随脉冲峰值电压、放电重复频率的升高而增大，随放电气压的变化则存在一极值。     

Preparation of Ultra—fine Aluminum Nitride in Thermal Plasma

Ultra-fine aluminum nitride has been synthesized by the evaporation of aluminum powder at atmospheric-pressure nitrogen plasma in a hot-wall reactor.The average size of aluminum nitride particle is 0.11μm measured by scanning electric mirror(SEM),and the purity is at least over90% evaluated by X-Ray diffraction(XRD).The conversion of Al powder to aluminum nitride is strongly depended on the injection of NH3.Typical experimental parameters such as the feed rate of raw material,the flow rate of ammonia and the position of injecting aluminum powder into the reactor are given.     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。     

Kevlar－49芳纶纤维表面接枝改性

采用空气等离子体处理Ｋｅｖｌａｒ－４９并在活化处理后的纤维表面接枝聚丙烯酸（ＰＡＡ）、聚丙烯酸乙酯（ＰＥＡ）及丙烯酸和丙烯酸乙酯的共聚物（ＰＡＡ／ＥＡ）。单丝拔出实验研究表明，空气等离子体改性的Ｋｅｖｌａｒ－４９／环氧树脂体系的界面结合强度和界面破坏能均有明显提高，其中接枝了Ｐ（ＡＡ／ＥＡ）的Ｋｅｖｌａｒ－４９／环氧树脂体系的界面破坏能（５５Ｊ／ｍ２）比未改性体系的界面破坏能（２７．８Ｊ／ｍ２）提高了一倍。