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基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了60Co (315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,60Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用。由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO2层中产生的电子与空穴高于60Co。 相似文献
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本文根据4年多的研究成果,分析了用水文学法研究水土流失问题的可行性,介绍了水文学法研究水土流失的方法步骤,并与经验公式法研究成果进行对比,以供参考. 相似文献
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