管道穿越河流两种施工方式的技术经济对比

自油田勘探开发以来，塔里木河管道工程进行了三次较大的穿越。2004年5月，中石油塔里木油田公司西气东输塔里木吉拉克一桑南气田天然气集输管线穿越，该工程距塔河大桥30km以上，轨迹长度356．2m，最大孔径660mm，穿越管道的最大深度距河床最低点8．58m，这是塔里木河管道的第一次定向穿越。2004年7月，中石化西北分公司于塔河上游河段定向钻穿越总长950m，定向穿越最深处达17．44m，穿越最大孔径750mm。2006年3月，中石化西北分公司采用大开挖施工工艺在塔河大桥东5km穿越塔河总长1．45km，其中水域段约250m，开挖最深处6．79m。     

Andiore Search Reference 610T单声道后级功率放大器

美国真空管知名老厂Audioresearch，近来可说是动作频频，连续推出了多款重量级的制品，继前阵子发表的旗舰前级Reference 3之外，还推出了一款堪称怪兽级的单声道旗舰后级Reference 610T，为什么会说它是怪兽级呢？看看上面使用的真空管数量就知道了，610T总共用上了19支真空管，增益级用的是两支双三极6NIP与一支军规6H30，功率管部分则是用了八对6550C。用上这么多真空管，当然大家最担心的还是管子寿命、偏压的调整与真空管产生高热等三个问题，而所有这些问题Audioresearch都考虑到了。610T上使用的真空管寿命至少达2000小时以上，偏压的调整钮设有两个，加上真空管采开放式地设置在机器的最上方，如此一来便能自然的散热。另外610T还有一个与以往不同的地方，就是所有的信息都显示在一个与Reference 3前级相同的大型液晶面板上。至于大家最关心的功率输出，单声道能输出足足600W，这项成就绝非一般的功率放大器能达到。     

功率控制在WCDMA中的应用

功率控制是新一代无线通信网以解决的问题,分析了开环功率控制、内环功率控制和外环功率控制在WCDMA中应用,提出了一些功率控制的问题和算法.     

瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

射频放大器中的功率参数

现代的无线通信中,射频设备的使用相当普及,而射频放大器在设备中起着至关重要的作用,放大器中有关功率参数的测量也引起相当的重视,而我们在实际的研发生产中对功率参数的理解和应用存在一定的误解,下面就一个放大器的特性来说明相关功率参数的含义和应用。我们在描述一个放大器时,基本的参数有增益和最大输出电平(功率)。为对增益有较为准确的描述,引入线性特性的参数来衡量,通常用1dB压缩点对应输入功率和线性最小输入电平来表示,两者之差就是放大器的输入动态范围。对于1dB压缩     

16×10.7 Gb/s 1 600 km普通单模光纤环路传输研究

利用双折射光纤环设计了可调功率均衡滤波器,实现了16路16×10.7 Gb/s NRZ码、超过1 600 km常规单模光纤(SMF)的系统传输及性能测试,信道误码率均小于3×10-5(FEC纠错前).数值仿真并实验研究了对单环长度240 km、损耗超过80 dB的环路16路10.7 Gb/s波分复用(WDM)系统传输的优化.传输7圈后,功率均衡器降低了信道功率不平坦度超过5 dBm.     

低RDS（ON）功率MOSFET实现更信的汽车性能

随着人们对驾驶室功能的需求不断增加，以及大型汽车对发动机的功率连同行驶里数的需求不断上升．新型低阻抗功率NOSFET遂应运而生．可实现汽车从传统的发电系统和液压系统转移到电子系统。这些新型低阻抗功率MOSFET有助于在增强汽车的舒适性和安全性的同时提高行驶里数。     

MRC分集接收的MQAM在Nakagami信道上的性能分析

Nakagami信道是一种适应性较强的信道模型，MQAM(M-ary quadrature amplitude modulation)是一种频谱利用率较高的调制方式。在存在多径影响的无线通信环境中，最大比合并(maximum ratio combining)方式的分集接收是克服衰落的有效方法。本文利用适用范围更广的Nakagami信道模型，在多径衰落的情况下对最大比合并分集接收的MQAM系统误符号率性能作了分析。仿真结果对分析实际信道下具体系统的性能具有一定的参考价值。     

复杂目标的近场散射特性分析

详细分析了目标散射随距离而变化的特征，根据散射特点的不同将目标的散射特性分为远场散射、准近场散射、近场散射等三种情况，并对三种情况下的描述的手段进行了讨论，提出在近场条件下，用反射功率比的概念直接对散射目标的特性进行描述。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，