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61.
孔玲  李开军  蒋泽 《信息技术》2006,30(12):141-143
多输入多输出正交频分复用(MIMO—OH)M)系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点,而OFDM系统产生的高峰均功率比(PAPR)是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理,并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较,验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。  相似文献   
62.
通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。  相似文献   
63.
OCT图像散斑的形成机理和清除方法   总被引:4,自引:1,他引:3  
根据光相干层析成像(OCT)的光学和光电检测系统特点,结合现有的理论模型,分析了OCT成像和散斑形成机理。指出失去相干性的多次散射光部分会被滤波电路排除,散斑是由高散射组织相干长度之内的不同散射截面上的若干具有nπ光程差的相干散射光彼此叠加形成的。最后讨论了消除散斑的方法。  相似文献   
64.
基于对地观测激光回波特征的目标特性研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型,分析了分类地面目标的激光回波特征,提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。  相似文献   
65.
唐东峰  罗朝晖 《信息技术》2004,28(10):19-22
针对CDMA系统中抗干扰技术,提出一种结合多用户检测、波束成形和功率控制的算法,对接收信号在时域和空间上进行联合处理,能大大抑制干扰,提高系统容量。  相似文献   
66.
CDMA系统中的功率控制技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
在CDMA系统中,功率控制是无线资源管理的核心技术之一,它对于克服“远近效应”、减小小区间干扰、增加系统容量和提高系统性能具有重要作用。文章简述功率控制技术各种方法的性能特点及其实现方法,并介绍TDD系统和FDD系统中的功率控制技术及其效能差异。  相似文献   
67.
管道穿越河流两种施工方式的技术经济对比   总被引:1,自引:0,他引:1  
自油田勘探开发以来,塔里木河管道工程进行了三次较大的穿越。2004年5月,中石油塔里木油田公司西气东输塔里木吉拉克一桑南气田天然气集输管线穿越,该工程距塔河大桥30km以上,轨迹长度356.2m,最大孔径660mm,穿越管道的最大深度距河床最低点8.58m,这是塔里木河管道的第一次定向穿越。2004年7月,中石化西北分公司于塔河上游河段定向钻穿越总长950m,定向穿越最深处达17.44m,穿越最大孔径750mm。2006年3月,中石化西北分公司采用大开挖施工工艺在塔河大桥东5km穿越塔河总长1.45km,其中水域段约250m,开挖最深处6.79m。  相似文献   
68.
《视听技术》2006,(3):74
美国真空管知名老厂Audioresearch,近来可说是动作频频,连续推出了多款重量级的制品,继前阵子发表的旗舰前级Reference 3之外,还推出了一款堪称怪兽级的单声道旗舰后级Reference 610T,为什么会说它是怪兽级呢?看看上面使用的真空管数量就知道了,610T总共用上了19支真空管,增益级用的是两支双三极6NIP与一支军规6H30,功率管部分则是用了八对6550C。用上这么多真空管,当然大家最担心的还是管子寿命、偏压的调整与真空管产生高热等三个问题,而所有这些问题Audioresearch都考虑到了。610T上使用的真空管寿命至少达2000小时以上,偏压的调整钮设有两个,加上真空管采开放式地设置在机器的最上方,如此一来便能自然的散热。另外610T还有一个与以往不同的地方,就是所有的信息都显示在一个与Reference 3前级相同的大型液晶面板上。至于大家最关心的功率输出,单声道能输出足足600W,这项成就绝非一般的功率放大器能达到。  相似文献   
69.
郑大伟 《电子科技》2006,(10):14-16
功率控制是新一代无线通信网以解决的问题,分析了开环功率控制、内环功率控制和外环功率控制在WCDMA中应用,提出了一些功率控制的问题和算法.  相似文献   
70.
《电子测试》2004,(8):54-54
日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装,作为新的功率MOSFET封装形式.它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品.现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率  相似文献   
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