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151.
本文报道一种新的观察碲镉汞(CMT)晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理,给出了实验结果。实验表明:机械磨抛的CMT晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来;磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应,而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕;结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下W3.5磨料在CMT晶片表面产生的最大加工损伤深度约32~40pm;机械磨抛产生的划痕和其在表面留下的应力沟道区是CMT晶片表面在磨抛加工中受到损伤的主要机构。分析认为平均损伤深度主要影响磨抛CMT晶片的表面复合速度,而最大加工损伤深度则对CMT器件、特别是多元器件性能参数的均匀性影响比较大;故控制好CMT晶片表面加工的最大损伤深度也是制备性能均匀的CMT多元探测器的一个重要环节。 相似文献
152.
用等温汽相外延(ISOVPE)和液相外延(LPE)组合,在用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的CdTe/蓝宝石衬底上生长HgCdTe。用ISOVPE把CdTe层转变为Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te。ISOVPE和LPE过程连续在闭管内进行,应用转变工艺,降低CdTe和HgCdTe间的晶格失配、并减少CdTe衬底和外延层间互扩散产生的组分梯度。晶片在Hg气氛中退火后制做成光导探测器性能验证了晶片质量,结果可与在CdZnTe上外延生长HgCdTe制做的一般探测器性能相比。 相似文献
153.
本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。 相似文献
154.
155.
156.
基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级. 相似文献
157.
158.
159.
160.
根据Hg1-xCdxTe晶体结构、组分和点阵常数的关系,导出Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系式。讨论了温度对晶体密度的影响,与参考文献中的密度公式进行了比较。 相似文献