MTBE抽余液脱二甲醚工序运行情况

为解决化工型甲基叔丁基醚装置抽余液(作化工原料)中二甲醚含量高(达600ppm)的问题,开发了脱二甲醚技术,并在工业试验装置上进行了标定.标定结果表明,该装置操作平稳,产品二甲醚含量降低到40ppm以下,能耗较低,但C_4回收率稍低(只有97.60%),操作有待改善.     

非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法

介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法，并与通常的光电导衰退法进行了比较。     

布里兹曼法碲镉汞（Hg1—xCdxTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考。     

碲镉汞材料及工艺控制的分析方法

随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。     

碲镉汞晶体研制及应用

本研究的目的在于实现８～１２μｍＨｇＣｄＴｅ晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测，用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△＝０．００４，测得原生晶体的空穴浓度可低达７．０３×１０１６／ｃｍ３热处理后，晶体的Ｎｎ和μｎ分别为３．４～５．７×１０１４／ｃｍ３和（２．０６～２．２９）×１０５ｃｍ２／ｖ．ｓ用以上材料制成２４元至１６０元光导红外探测器阵列及３２元至６４元光伏红外探测器阵列，其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。     

汽车用35W无汞HID灯

1　引言近几年 ,人们对由放电灯造成的汞污染 ,要求保护环境的呼声越来越高 ,而且一些无汞高压钠灯的研究已有介绍。该文给出一种汽车用无汞高强度放电 (ＨＩＤ)灯方案。2　试验与结果普通的 35ＷＨＩＤ汽车灯含有汞和金属卤化物(主要为ＮａＩ和ＳｃＩ3 )。图 1为ＨＩＤ汽车灯的示意图。灯电压和光效分别为 85Ｖ和 90ｌｍ ｗ。此外 ,用于瞬间照明的灯还充有高压 (约 1ＭＰａ)氙 ,灯启动时的最大功率为 75Ｗ。图 1　ＨＩＤ汽车灯的示意图由于汞与电子的弹性碰撞的横截面较大 ,这是产生灯电压的主要原因 ,无汞灯的灯电压大幅下降。无汞ＨＩＤ…     

VCM生产过程中汞污染的防治

介绍了引进VCM生产技术中，有关含汞污水的处理方法及在生产工艺上所采取的减少汞污染的措施，解决了催化剂的汞污染问题。