12.5 μm碲镉汞长波红外探测器暗电流研究

随着红外探测器技术的发展,延长探测器的工作波长成为重要的发展方向之一。由于工作波长随x值的变化而带隙可调,碲镉汞材料得到了广泛应用。随着波长增长,暗电流成为限制红外探测器发展的主要因素。以12.5 μm碲镉汞长波红外探测器为例,通过仿真研究了工作温度和固定电荷对其暗电流的影响,并对77 K和60 K下不同种类的暗电流进行了分析。该研究使我们对12.5 μm探测器的暗电流具有更深入的了解,为提高12.5 μm探测器的制备水平提供了方向。     

不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加.对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能.     

乙炔与1，2-二氯乙烷合成氯乙烯无汞催化剂的制备与性能

采用等体积浸渍法制备出不同氮化合物改性、金属氯化物负载的系列活性炭催化剂,在固定床反应器中考察了催化剂对乙炔与1,2-二氯乙烷耦合反应的催化效果,考察了优选催化剂 80 h 运行稳定性,并利用扫描电子显微镜（SEM）和 X 射线光电子能谱（XPS）仪分析了催化剂的失活原因。结果表明:咪唑改性椰壳活性炭催化剂可有效催化乙炔和1, 2-二氯乙烷发生耦合反应生成氯乙烯;在反应 80 h 过程中,1, 2-二氯乙烷的转化率和氯乙烯的选择性随反应时间变化不大,但乙炔转化率降低了 21 个百分点;表面积炭及活性位点吡啶氮摩尔分数降低是催化剂失活的主要原因。     

HgCdTe注入工艺研究

ＨｇＣｄＴｅ是制造焦平面阵列最受关注的材料，注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但ＨｇＣｄＴｅ特性“娇嫩”，如Ｈｇ易分凝，因此研究这种的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响，研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入ＨｇＣｄＴｅ的热学分析，实验研究了ＨｇＣｄＴｅ注入的工艺条件，束流与注入能量是Ｈｇ分弟的主要因素。     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望

简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理，回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法（ＡＣＲＴ－Ｂ）研究的情况，并提出了进一步研究的问题。     

影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素

通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。     

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

碲镉汞光导器件的交叠结构与性能

光数载流子扫出效应是限制碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）光导器件性能提高的重要因素之一。交叠结构的光导器件能有效地消除少数载流子扫出效应，就结构的尺寸问题，进行了理论分析和实验，实验结果与理论符合，器件呼应率有较大的提高。     

改善铜蒸气激光输出特性的研究

介绍了铜蒸气激光器的发展及其输出特性。总结了近年来改善铜蒸气激光输出特性的研究。