GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡

本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）

用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。     

精轧油膜轴承密封失效机理的初步分析

对油膜轴承密封出现的进水、漏油现象作了大量的调查、测量和统计分析，找出了产生质量事故的根本原因，提出了解决措施。     

石英晶体监控法镀制高精度光学薄膜

讨论了石英晶体监控法在光学薄膜镀制过程中的应用原理。通过与常规的光学监控法镀制的膜层相比较．证实了石英晶体监控法有助于提高光学薄膜的光学品质。试验表明所镀膜层的光学性能优异，在光通信和激光器等领域具有广阔的应用前景。     

电站并联运行的不对称非线性振荡

本文给出一个结构不完全对称并联电网的等价定理,它把双输入双输出非线性耦合的微分方程组等价为单输入单输出的非线性微分方程,然后用渐近方法和谐波线性化方法求其一次近似解,得到一些新的物理性质,有助于合理选择电网结构,以提高其结构稳定性.     

极限振荡型自适应调节器

一、引言随着现代化工业的迅速发展,以及自动控制理论的日益成熟,工业过程的自动控制技术也在不断的更新和完善,自适应调节器的产生和应用就是其中一例。据有关文献报道:直流电源高稳度的自适应控制器;电炉     

垂直腔激光器中弛豫振荡频率的优化控制

从垂直腔面发射的半导体激光器（VCSELs）的结构出发，利用增益与载流子密度的广义对数关系，借助小信号分析法，推出了直接调制情形下驰豫振荡频率的严格解析关系。分析指出，量子阱器件的光子寿命并非越短越好，欲提高VCSELs的驰豫振荡频率，除了增加注入电流，提高微分增益等基本途径外，控制器件的结构参数可使驰豫振荡频率达到极大值。同时，自发辐射因子的可控性，以及降低稳态载流子密度，也都是提高VCSELs驰豫振荡频率和拓宽调制带宽的有效措施。     

对流扩散方程的离散技术及数值实验

本文研究了对流扩散方程的离散技术,并进行了大量数值实验。研究表明,scharfetter—Gummel的广义形式可以良好地消除内部的非物理振荡,且对边界层生成振荡的传播有抑制作用,但不能有效地消除边界层振荡。