理想九点五态控制器原理的叙述

用计算的方式叙述理想九点五态控制器的控制原理。为便于人们理解二阶对象的运动中控制的变化过程,将抽象的对象转换为人们熟知的L-R-C电路,通过调节输入电压(即控制作用)的大小和方向来实现对对象性能的调节,并使系统达到理想的性能指标。最后用仿真来验证计算结果的正确性。     

一种新的基于快速功控的多普勒估计

针对采用快速功控的移动通信系统提出了一种简便的多普勒估计方法。该方法利用功控后的接收信号电平的平稳性与最大多普勒频移有密切关系这一特点，通过测量接收信号电平的平稳性估计多普勒频移。文中在单径瑞利衰落信道条件下对这一方法进行了仿真验证，并同文献中提出的COV方法进行了比较，仿真结果表明在信道变化不是太快时本方案有较好的估计精度。     

一种新型的集成电路金属连线温度分析解析模型

研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器(LTem).该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布的影响.模拟结果表明,考虑了通孔效应以及边缘效应之后,金属连线上的温度分布情况有了较大程度上的降低,LTem可以得到更贴近实际情况的金属连线温度分布情况.     

晶须取向对SiCw/6061Al复合材料热压缩变形行为的影响

采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象.     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

AV功放影院声场功能介绍

<正> 越是高级的AV功放就具有越多的家庭影院功能,如果用户没能把这些功能运用起来,不但这笔费用白白地浪费掉了,而且音质还不及把这些功能全部取走的问类功放好。因为任何多余的电路,不但会引起插入干涉,还会分掉电源的功率,两者都对音质有不良影响。所以,在挑选机子时,不要选自己完全不懂和肯定不会采用的功能。而如果机子己经买好就应该尽量把各种功能都用起来。为了使用户能充分运用AV功放的各种功能,这里把高级AV功能的多声道影院声场功能略作介绍。     

瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

天然气吸附储存脱附过程的动态模拟

通过热动力学计算,认识了脱附过程当中储罐内温度剖面分布的典型特征:储罐轴心处的温度下降幅度最大。分析了脱附过程当中储罐壁的热交换、吸附剂的导热系数以及储罐内的初始压力对储罐内的温度剖面的影响。结论是加强储罐外壁的热交换、增大吸附剂的导热系数皆能改善吸附储罐内的温度剖面。     

新一代深度张力面板

新一代深度张力面板不仅具有基本的深度、张力采集、处理、显示功能,同时还具有多种报警及通讯功能.其最大的特点是采用了液晶显示屏和触摸屏,使得信息的显示更加丰富、直观和醒目.同时,触摸屏的采用,省去了传统的按钮、开关及键盘操作模式,使操作更加方便简洁、自然.该面板可以单独工作,也可以配备于测井、录井地面系统中使用.     

污水场的废热在采暖及制冷方面的应用研究

针对污水处理场来水温度较高的特点，在预处理的匀质池中安装换热盘管，通过热交换供污水处理场大院冬季采暖，以达到节约蒸汽、节能降耗的目的。