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11.
楼滨乔 《核电子学与探测技术》1993,(4)
本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。 相似文献
12.
本文以我公司技术人员在某飞机现场排故中发现的脉冲冲击电压对机载设备的破坏现象为线索,分析了飞机电源系统脉冲冲击电压产生的根源及分类,用行波传导理论建立了固体元器件及集成电路等遭受冲击电压破坏的失效机理。推荐了几种脉冲抑制电路及降额设计措施。本文对脉冲冲击电压试验的分析与介绍,具有广泛的参考价值。 相似文献
13.
为了讨论了问题方便,定义了两种P-N:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏R-N结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V,即沟道区杂质浓度要低到一定的程度,而同时又必须保证一定的开启电压,即沟道区杂质浓度要高到一定的程度,通过分析与实验,提出了解决这一矛盾的通用原则。 相似文献
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这已经是最后的黄昏!AGP显卡淡出市场已是不可改变的事实,然而.对于那些还坚守在性能尚能满足要求的AGP平台上的用户而言.他们想得更多的则是如何将AGP显卡最后一点潜力彻底地挖掘出来.[编者按] 相似文献
19.
本文从分析氧化锌避雷器原理、结构人手.通过与国产同类设备厂家规定值及试验值进行比较,在取得一定数量试验值的情况下.初步确定试验标准U1mA的值,并以此为依据,对试验结果进行判断,取得较好的效果。 相似文献
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