模拟信号光传输设备重要指标及测试方法

重点介绍了模拟信号光传输设备实际应用中的几项重要技术指标,包括增益平坦度、1dB压缩点以及相位噪声,分析了这些指标的定义原理以及对光传输设备产生的影响,着重阐述了这几项重要指标工程应用的常用测试方法及规范。     

锁相环电路中压控振荡器的分析与设计

本文设计了一个应用于高频锁相环（PLL）系统的负阻LC压控振荡器,在传统LC压控振荡器基础上,通过采用二次谐波滤波技术降低了振荡器的相位噪声,并完成了电路的仿真。仿真结果表明,该压控振荡器的振荡频率在1．9—2．1GHz,其频率调节范围达到200MHz,并且在距中心频率1MHz处其相位噪声为-148．825dBc／Hz...     

背景光存在下的相衬法原理分析

为了更好地观察弱相位物的位相,在考虑背景光的情况下,对任意相位物体的相衬成像过程进行严格的数学推导及分析,得到有背景光时的相衬法成像光强普遍表达式。结果表明,有背景光时的相板相移量及其透过率存在最佳值;若采用CCD接收图像,弱相位物的最小可观察相位变化量达1.9mrad。这为弱相位物体的精确测量提供了有力的数学论证。     

基于SX8121的马达驱动电路设计及其应用

引言目前市场上大多数电动剃须刀和电推剪等小型电器的马达一般由电池直接驱动,开关仅用于马达的上电或断电控制。对于充电电池,这会导致在电量较低时过度放电和泄露,不利于延长电池和马达的使用寿命,且此种设备的充电回路也比较复杂。不可充电的设备大多使用两节干电池驱动,不仅尺寸较大,成本也较高。     

一种新型高压功率器件终端技术

为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术.采用TCAD(ISE)时该技术进行模拟,结果表明,该技术具有比较好的面积优化和击穿电压优化特性.     

X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是＋13．33dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100kHz可达-116．49dBc／Hz,偏离中心频率10kHz可达-91．74dBc／Hz。     

基于游标测距的微动参数估计

精确地估计微动参数有利于对微动目标进行分类识别。本文根据目标微动在全相参脉冲多普勒雷达体制下的回波特点,提出了一种基于游标测距(Range Vernier)的微动参数估计方法。首先建立微动目标雷达回波模型,主要是进动目标回波模型。以某一回波脉冲为参考,采用游标测距技术测量后续回波脉冲接收时刻目标的距离,该距离与时间的关系反映了目标的运动规律,最后通过正弦基分解(Sin FM Basis Decomposition)的方法从测量结果中估计出微动参数,包括振幅、角频率和初始相位。参数估计过程中峰值搜索的范围由经验知识和雷达测量信息确定。算法性能分析推导了雷达测速误差、测相位误差以及脉冲重复频率(PRF)和载频之间的约束关系,以保证游标测距正常进行。仿真结果验证了在现有雷达体制和测量精度条件下,游标测距可以正常应用,并且微动参数估计的精度非常高。      

来波极化对鱼骨天线阵低频段波束合成的影响研究

为清晰认知短波定向扇形天线阵,改进阵列波束合成方法,提升波束合成系统性能,利用鱼骨天线阵列模型模拟接收实际不同极化的天波信号,分析阵列合成波束的指向、增益随来波极化和阵列单元数的变化规律,得到在高极化角来波信号时,来波极化补相时阵列的合成波束比按主极化补相时指向更稳定且增益最大可提高2 dB.同时利用实测数据对两种补相...     

基于40 nm CMOS工艺的电荷泵锁相环设计

本文基于SMIC40nmCMOS工艺,设计了一款输入频率范围25～20MHz,输出频率范围2.4～4GHz的电荷泵锁相环(CPPLL).介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化.版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3％@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3～4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1MHz、锁定时间为1 μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300 μm.     

6.5 kV SiC光控晶闸管的研制

基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管.通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟.在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试.测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致.