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Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容- 相似文献
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这篇专题性讨论文章针对发电机定子线圈端部绝缘“表面电位测量法”发表了不同的意见,认为该法的命名是错误的,其有效性是值得怀疑的,其测出的结果与电位分布理论不符,应正名为“局部泄漏电流间接测量法”,并只能作为一种辅助方法列入《电气设备预防试验规程》中。文章还涉及了对绝缘质量判据的看法,并建议除绝缘质量外,对定子端部故障原因还应进行更广泛的探讨。 相似文献
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针对可控电解珩磨复合加工方法的特点,提出了对其体系电解液的要求,并对研究出的五种电解液的加工特性,进行了比较深入的探讨。 相似文献
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