气体放电电子束的特性和应用

本文描述了产生在软真空中的电子束及其特性,这种成本低廉的大功率电子束在微电子、光电子加工和等离子体化学方面有很大应用价值。文中给出了电子束的放电特性、强度空间分布和能谱的实测结果,对这种电子束的形成机理提出了新的见解。     

质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究

采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。     

电子束曝光机工作台吊装结构动态特性的研究

正在研制的激光定位吊装结构工作台系统是电子束曝光机的主要组成部分。本文概述了工作台吊装结构的特点,用有限元法建立了吊装结构的三维实体力学模型,在理论上对其进行了动态特性分析与计算,并用锤击法进行了测试。分析与实验表明,工作台吊装结构抗冲击能力很强,能够满足电子束曝光机高精度和高速度的要求。     

介质膜波导中有大迴旋半径电子束环的迴旋自共振微波激射器的特性研究

本文用线性化弗拉索夫-麦克斯韦方程分析了介质膜波导中由大迴旋半径电子束环产生的迴旋自共振微波激射器的工作特性。结果表明,介质膜能降低所需的电子束能量,在毫米和亚毫米波段开创了一种新型的有效低压辐射源。     

CRT用非轴对称电子枪的电子束分析

装有非轴对称电子枪的显象管的电子束模拟器已开发出来，该模拟器已考虑到了电荷效应，电子热扩散和偏转散焦效应，模拟器中，电子束被分成各个高斯束流，每个高斯束流都具有主轨道和旁轴轨道。为计算主透镜的静电场，对于复杂的电极需采用极场展开法与表面电荷法相结合的办法来减少ＣＰＵ时间，简化数据输入，动态象散校正依靠主透镜上旋转一四极透镜的方法来完成，象散的消除采用电子束形成区域用狭缝和方孔的方法来完成，这些都已     

热场致发射电子源曝光系统的技术现状和应用前景

高亮度、长寿命的热场致发射(Thermal field emitter)阴极自七十年代中期已受到人们的关注和重视,历经十多年在理论分析、工艺制备和实验研究上做了大量工作之后,于1988年在电子束曝光机上的应用中取得了突破性进展。用晶向为(100)的钨和具有低逸出功的锆制成的(Zr/O/W)热场致发射阴极在四千小时的使用寿命下亮度值超过六硼化镧阴极一个数量级以上,最近的实验结果表明:在工件台上小束斑下能得到接近两千安培每平方厘米的束流密度,而且四十小时内束流稳定度接近千分之一。显然,这几个表征曝光系统综合技术性能的重要指标,说明多年困扰于各种电子束曝光系统(特别是高斯圆斑电子束系统)在高分辨率情况下生产率较低的技术难题已经得到了比较圆满的解决。 八十年代末期,当热场致发射电子源曝光系统的技术关键解决后,这项技术就成为技术发达国家,特别是美国和日本,在电子束曝光领域进行技术竞争的热点;九一年五月底在美国召开的国际三束会议上有关场致发射阴极和MEBES—4型机已经采用TFE的最新报道充分证实了这项技术在电子束曝光技术应用中的重要地位和发展潜力。     

电子束激励的稀有气体碱金属离子准分子(XeRb)~ 和(KrRb)~ 的真空紫外发射

由相对论电子束激发稀有气体和碱金属Ｒｂ的混合蒸气，观察到来自（ＸｅＲｂ）＋和（ＫｒＲｂ）＋离子准分子的两个真空紫外发射带，其波长分别在１６４ｎｍ和１３３ｎｍ。     

F2分子激光器的研究

总结了Ｆ２分子激光器的实验与理论工作，讨论了该激光器的重要意义及应用，并展望了Ｆ２分子激光器的未来发展。     

Ge—Au合金膜的微结构及电子束诱导晶化

ＧｅＡｕ体系是典型的二元共晶系，在室温平衡状态下，二者不相溶。在蒸发沉积制成的薄膜样品中，其非平衡结构对沉积条件敏感，低金属含量和低衬底温度，促进沉积形成非晶薄膜。通过研究不同条件下沉积的合金膜的微结构，可以了解成膜机理；利用电子束诱导晶化，可以为研究晶化动力学过程提供实时观察，并且在ＧｅＡｕ非晶薄膜中实现微区晶化，为其在微电子和信息领域提供应用的可能