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101.
开关电流技术:一种新的模拟抽样数据处理方法 总被引:1,自引:0,他引:1
开关电流(SI)技术是一种新的模拟抽样数据处理技术,介绍了开关电流电路的基本单元结构,讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较,SI技术不仅结构简单,而且与标准CMOS工艺兼容,可望替代开关电容电路。 相似文献
102.
利用垂直阵列构作了一类Cartesian认证码,计算了它们的参数,并且在编码规则按等概率分布选取时,成功的模仿攻击和成功的替换攻击概率也被算出。 相似文献
103.
早先对FPGA的延迟优化工作主要集中在减少关键路径中各元胞块的级数,但缺少用以控制元胞块增另的有效方法。在FPGA的情况下,所使用的元胞块数量也会在很大程度上影响布线后的最终延迟,因为大多数延迟是由存在的可编程互连所引起的布线延迟。中讨论了两类FPGA即基于查阅表的FPGA和基于多路开关复用器的FPGA的延迟优化,提出了可用于逻辑优化阶段的一种新的延迟优化方法,可以解决元胞块级数的减少与元胞块数 相似文献
104.
105.
AIN—BN复合陶瓷的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
本文用热压法烧结制备出AIN-BN复合陶瓷,讨论了组成及烧结条件对AIN-BN复合陶瓷性能及显微结构的影响。通过优化组成,使AIN-BN复合陶瓷垂直于加压方向的导热率最大达103W/m.K。AIN-BN复合陶瓷的导热率和显微结构各向异性显著。 相似文献
106.
多枪电容放电螺柱焊机设计四川省焊接技术服务中心(610051)苏东Designformultiguncapacitor-dischargestadwelder¥(Sichuanweldingtechniqueservicecenter)SuDong1... 相似文献
107.
文章简要地介绍了InGaAs/InP PIN PD阵列的制作现状及其应用和发展趋势。 相似文献
108.
109.
110.
本征吸除硅片特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60%,以上优品率≥85%。 相似文献