对电子元器件应用的研究（一）：来自电子整机厂的使用信息

电子元器件设计、制造与实际使用之间的技术衔接工作往往被人们所忽视。作者根据近４０年工作之实践，从电子整机灾用技术的观点出发，提出选用电子元器件、使之发挥最佳功能时应注意的一些问题。本文一方面为电子线路工程师提供最佳电路设计和选用元器件的程序和方法，同时对电子元器件的设计、制造、经营和管理人员在产品设计构思、编制使用说明书等技术资料方面也会起到一定的参考作用。     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

萨彦－舒申斯克水电站大坝及基础状态与可靠性措施的评价

萨彦－舒申斯克水电站大坝及基础状态与可靠性措施的评价俄罗斯联邦工程科学院专家委员会主题词坝基基础防渗防渗帷幕结构缝可靠性原型观测萨彦－舒申斯克水电站关于水工建筑物工况的监测情况大坝及隔墩监测仪器状况萨彦一舒申斯克水电站大坝埋设有数以千计的监测仪器。对...     

Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较

介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－ＡＵ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能，结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是同波功率管的金属化的较佳选择。     

绵羊前胃胃电和收缩应变同步测量进展

对绵羊前胃胃电和收缩运动研究状况进行简评，介绍胃电和收缩应变同步测量系统。     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

计算机系统可靠性设计的定量计算

本文对评价一个系统可靠可靠性尺度给出定义，并给出串联，并联，待机，切换及ｎ个设备中取出ｍ个设备使用等各种系统可靠性尺度的计算公式，最后给出一个计算机系统可靠度计算实例。