量子点红外探测器研究进展

量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);②量子阱中量子点(DWELL)红外探测器;③Si基QDIP;④Ge QDIP。本文阐述正在研究的几种QDIP,并对下一代传感器用QDIP进行预测。     

电解铜箔中异常粒子成长的解析

研究了电解铜箔制造时旨在防止缺陷的镀铜层上发生的异常粒子成长。在Ti基板上形成镀铜层,应用配备有能量耗散x一线分光计的电子扫描显微镜（SEM-EDX）和x一线衍射观察异常粒子析出。异常粒子的发生取决于Ti基材预处理方法。预处理加工时机械抛光发生的Ti粒子与异常粒子成长有关。Ti粒子附近的铜的取向不同于其它部分的镀层。因此Ti粒子与异常粒子成长有关。     

RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性

在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现VP>VV的情况,一般称为表观正阻(APR)现象。通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态线。     

高压变频器控制器的电磁兼容设计

本文用最短的篇幅从线路设计、印制板设计、设备内部走线、接地设计、屏蔽技术、滤波技术、电缆辐射问题、瞬态干扰抑制等各个方面,介绍了电磁兼容设计要点和关键技术。     

宽带可调交叉场天线的匹配网络设计

交叉场天线是一种极小尺寸的电小天线,对于匹配电路中的元件值非常敏感,因此在设计时需要充分考虑元件的分布效应引起的误差.提出了一种利用ansoft 协同设计平台实现对基于集总参数的匹配电路的设计方法,并用该方法实现了对CFA的匹配电路的设计.加工了一幅高0.26米,26 MHz～33 MHz内可调的交叉场天线,测试与仿真结果吻合良好,说明了该方法的有效性和准确性.该方法为实际工程节省了大量的调试时间.     

制备工艺对PZT/NiCuZn复合材料电磁性能的影响

采用sol-gel法、固相反应法和掺杂的sol-gel法三种制备工艺,制备了PZT与NiCuZn质量比为3:7和4:6的两种铁电/铁磁复合材料。研究了不同制备工艺对低温烧结复合材料显微结构和电磁性能的影响。结果表明:三种制备工艺都能很好地实现900℃低温烧结,且所制复合材料的ρv大于5.2g·cm–3,μi大于19,Q值大于265,ε′大于45。相对而言,掺杂的sol-gel法所制材料性能最好,其次是固相反应法,再次是sol-gel法。但是,从适于批量生产以及降低成本的角度考虑,固相反应法更符合实际。     

铁电薄膜电滞回线测量的快速数值补偿方法研究

测量铁电薄膜电滞回线必须补偿漏电阻和线性电容的影响.本文采用Sawyer-Tower改进电路,分析了在正弦激励电场下漏电阻和线性电容对自发极化的影响,指出二者分别关于饱和极化点奇对称和偶对称;利用正峰值饱和极化点及其前后相邻两点共3对激励电压和极化电压,推导出漏电阻和线性电容计算公式,进而可实现电滞回线快速数值补偿.本算法漏电阻和线性电容的计算时间仅为二分法用时的2%.     

新型电接触材料Ag/La_(1–x)Sr_xCoO_3

回顾了电接触材料的发展历史并介绍了新型电接触材料Ag/La1–xSrxCoO3。分析了Ag/La1–xSrxCoO3电接触材料的性能特点,并指出当前研究中需要解决的关键问题:陶瓷成分及微观结构和复合材料成型工艺对材料最终性能的影响。最后阐述Ag/La1–xSrxCoO3材料可作为电接触材料的一个崭新发展方向。     

基于顺向电压法的LED接面温度自动测量系统

采用顺向电压法测量LED的接面温度。通过使用数据采集卡,建立高功率LED的自动化接面温度测量系统,并以市场上现有的高功率LED为例进行了测量与对比,建立了高功率LED的I-V特性曲线及其电流—接面温度曲线,最后对测量结果与特性曲线进行了分析讨论。     

介电分析法及其在电子电路基材研究中的应用

介电分析法（DEA）是采用介电法树脂固化监控仪,通过内置传感器,在树脂反应体系中输入波形信号,并检测信号在反应体系中的变化。DEA可以实时监测树脂固化反应过程中的离子粘度的变化,从而反映树脂固化反应情况,指导电子电路基材的生产过程。