无铅阴极的相变致电子发射研究

研究了最新无铅阴极钛酸铋钠(Na1 2Bi1.2TiO3，NBT)基铁电陶瓷的电子发射性能和电子发射的机理。采用常规陶瓷工艺制备了发射阴极样品，并在阴极上施加高达15kV的激励脉冲，获得了20A／cm^2的最大发射电流密度。在施加激励电压的同时观察到3个发射电流脉冲峰值，该现象不同于其他的阴极。通过测试NBT基铁电陶瓷的相变性能，修正了得到公认的快极化反转致电子发射理论，提出相变致电子发射理论公式，合理解释了该新型无铅NBT基阴极的电子发射3个峰现象，说明了电子发射不仅可以由快极化反转产生，也可以由相变导致的极化变化产生。     

电流密度对金刚石表面镍层形貌及加工特性的影响

金刚石颗粒的表面形貌影响着固结磨料研磨垫(FAP)基体对其的把持能力。设计了一种实验室用金刚石滚镀装置,采用电镀方式,探索了电流密度对金刚石表面镍层形貌的影响;采用镀镍金刚石制备了FAP;比较了不同金刚石制备的FAP加工过程中的摩擦系数、声发射信号和工件的表面粗糙度;采用马拉松式实验,研究了FAP的材料去除速率。结果表明:改装后的滚镀装置可以获得镀层均匀的电镀金刚石颗粒。电镀金刚石表面的粗糙程度随着电流密度的增大而提高。加工中的摩擦系数、声发射信号和工件的表面粗糙度均呈现出随电流密度提高而增大的规律,但均低于化学镀镍金刚石。马拉松式试验中,含化学镀镍金刚石的FAP材料去除速率优于含电镀镍金刚石的FAP。     

平均电流密度对脉冲镀镍钨合金微观形貌和性能的影响

在硫酸镍15g/L,钨酸钠30g/L,柠檬酸35g/L,烷基有机添加剂1.5g/L,pH为7,温度65°C的条件下,研究了平均电流密度对脉冲镀镍钨合金镀层的外观、结合力、显微硬度、沉积速率、镀层中钨含量及表面微观形貌的影响。结果发现,随着平均电流密度的增大,镀层中钨含量增加,镀层硬度先增大而后趋于恒值。过高和过低的平均电流密度都会引起镀层缺陷,最佳的平均电流密度为5～8A/dm2。     

平均电流密度对脉冲镀镍钨合金微观形貌和性能的影响

在硫酸镍15 g/L,钨酸钠30 g/L,柠檬酸35 g/L,烷基有机添加剂1.5 g/L,pH为7,温度65℃的条件下,研究了平均电流密度对脉冲镀镍钨合金镀层的外观、结合力、显微硬度、沉积速率,镀层中钨含量及表面微观形貌的影响.结果发现,随着平均电流密度的增大,镀层中钨含量增加,镀层硬度先增大而后趋于恒值.过高和过低的平均电流密度都会引起镀层缺陷,最佳的平均电流密度为5～8A/dm2.     

脉冲电镀及其电源

0前言脉冲电镀是通过槽外控制方法改善镀层质量的一种强有力的手段,相比于普通的直流电镀镀层,其具有更优异的性能(如耐蚀、耐磨、纯度高、导电、焊接及抗变色性能好等),且可大幅节约稀贵金属,因     

电流密度和润湿剂对Ni镀层组织与形貌的影响

采用普通型瓦特液,按照不同的工艺参数在铜材表面电镀镍,通过SEM对镀层表面进行扫描观察和使用XRD测试对镀层表面进行检测,并且对不同样品数据进行对比和分析,从而达到研究电流密度及润湿剂对镀层沉积速度、表面显微形貌和晶粒尺寸的影响的目的.实验结果表明,电流密度的影响非常显著,不同电流密度下的镀层表面形貌和晶粒尺寸存在相应的差别.适量的润湿剂对镀层的沉积具有促进作用,对防止针孔的生成及细化晶粒具有明显的效果.     

用MgH2做先驱粉的粉末装管工艺提高MgB2带的临界电流密度

有两种制备MgB2带材的粉末装管工艺，一种称为原位法(in situ)，另一种称为先位法(ex situ)。一般来说，用先位法制备的MgB2带材比用原位法制备的MgB2带材具有更高的临界电流密度Jc。即便是先位法制备的MgB2带材，对实际应用来说，也还需要大幅度提高它的临界电流密度Jc。有很多影响MgB2带材临界电流密度Jc的因素，其中最重要的参数是MgB2晶粒的耦合。虽然用具有高机械强度的包壳材料(如不锈钢，碳钢)可以对MgB2带芯施加大的应力，提高芯丝密度改善晶粒的耦合，从而提高带材的临界电流密度，但是具有高机械强度的包壳材料往往塑性不…     

扫描喷射电沉积纳米晶铜的试验研究

对扫描喷射电沉积纳米晶铜的工艺特点和沉积层微观结构进行了研究。结果表明，扫描喷射电沉积的电流密度和沉积速度随电压的增大呈线性增大，可用电流密度和沉积速度远高于传统电沉积。电流密度、喷射流量和扫描速度都对沉积层的表面生长形态有较大的影响，使用低电流密度、高喷射流量和快扫描速度有利于获得平整、致密的沉积层，在较大的电流密度范围内可获得晶粒尺寸小于40nm的铜沉积层。电流密度由100A／dm^2增至300A／dm^2时，择优取向晶面由(220)晶面逐渐转变为(111)晶面。     

BaCuO2-δ含量和Sm/Gd比例对(SmGd)-Ba-Cu-O单畴样品超导性能和磁通钉扎机制的影响

采用热籽晶技术和"二步冷却"生长工艺,在空气中制备出了(SmGd)-Ba-Cu-O体系的单畴熔融织构样品,研究了BaCuO2-δ含量以及Sm/Gd比对超导性能和磁通钉扎机制的影响.研究表明,制备出的(SmGd)-Ba-Cu-O体系熔融织构样品没有宏观裂纹,77 K下的冻结场呈中心对称的圆锥形;当BaCuO2-δ的加入量x=0.2时,样品的Tc和Jc都比较高,其超导性能达到最佳值,过高或过低BaCuO2-δ的含量都对超导性能不利;BaCuO2-δ的加入抑制了LRE-Ba的整体替代,使得超导基体中的组分波动具有更强的△Tc钉扎;临界电流密度Jc和超导转变温度Tc都随着Sm/Gd比降低而增大,样品的临界电流密度都有非常明显的"鱼尾效应".     

AZ91D镁合金微弧氧化膜性能影响因素

采用新型双端脉冲电源在大面积镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜,研究了电源电压、占空比和电流密度对微弧氧化膜性能的影响。结果表明,微弧氧化膜的厚度随电压、电流密度和占空比的升高而增厚。氧化膜的结构和形貌随电源参数的变化而变化,氧化膜上的孔隙和裂缝会随着电压和占空比的升高而增多。盐雾试验表明随占空比、电流密度和电压增加,氧化膜的耐腐蚀性均减弱。