利用改进的电荷泵法研究SONOS存储器陷阱电荷的分布特性

在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方法可以有效而准确地测量出注入电荷沿沟道方向的分布.为了提高测试精度,在进行电荷泵测试时,采用固定低电平与固定高电平相结合的方法,分别对SONOS器件源端和漏端进行注入电荷分布的测试.通过测试,最终获得SONOS存储器在沟道热电子注入编程后的电子分布.电子分布的峰值区域在漏端附近,分布宽度在50nm左右.     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电.电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散.     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性．实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电．电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散．     

基于SIP协议的会话控制MIB的实现

本文在基于SIP(Session Initiation Protoco1)协议的VoIP网关的分析研究基础上,为提供VoIP网关模块中各用户代理的状态监控和话务管理,针对各种特殊的话务请求,定义了如强拆,强插,监听等私有的管理对象,实现了对核心信令模块行为的控制和有效的管理,同时也为SIP协议呼叫控制的管理信息库标准化提供了参考.     

基于重构系统的扩张状态观测器实现混沌系统的同步

利用n阶驱动系统的标量输出信号及其连续的n-1阶导数作为状态变量,得到一个具有Brunowsky规范形式的n阶重构系统.根据扩张观测器的思想,对此重构系统先构造扩张系统,然后设计扩张状态观测器,并将其作为响应系统.通过挖掘可测同步误差中所隐含的信息对扩张系统的各个状态进行估计,从而实现了系统的输出及其导数的同步.当满足一定条件,还可实现所有状态变量的同步.对系统、Duffing系统的仿真证明了该方法的有效性.     

D≠0时状态观测器的设计及系统分析

针对计算机控制系统中状态空间表达式中d≠0的情况,探讨了d≠0存在的条件和其状态观测器的设计,给出了相应的控制器的计算机实现．并进行了相应的系统分析,对计算机控制系统或离散系统的分析和设计有一定的实际意义。     

新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究

报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究.理论分析表明:由于正向栅控二极管界面态R-G电流峰的特征,该峰的幅度正比于热载流子应力诱生的界面陷阱的大小,而该峰的位置的移动正比于热载流子应力诱生的界面电荷密度. 实验结果表明:前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱,同样产生出很大的界面电荷.对于逐渐上升的累积应力时间,抽取出来的诱生界面陷阱和界面电荷密度呈相近似的幂指数方式增加,指数分别为为0.7 和0.85.     

基于ARM的嵌入式系统中断处理机制研究

实时嵌入式系统要求嵌入式处理器具有支持多任务、中断响应时间短的特点，基于ARM体系结构的处理嚣支持实时多任务，但中断异常响应机制比较复杂，效率不高。以LPC2119为硬件平台分析了基于ARM嵌入式系统的异常响应机制，阐明了关键词“_irq”的作用；然后探讨了μC/OS-Ⅱ嵌入式操作系统下可重入性中断处理函数的设计思路；最后，在分析操作系统的基础上，针对ARM体系结构特点，对μC／OS-Ⅱ下的可重入性中断处理函数进行了优化。     

TD-SCDMA系统终端RRC连接建立过程研究

第一部分介绍了TD-SCDMA系统终端RRC子层的功能模型及RRC的主要功能。第二部分描述了RRC子层的状态，各状态下的任务以及状态间的转换。最后详细描述了TD-SCDMA系统终端RRC连接建立的过程，包括建立过程的消息流图及子过程。     

无线电基础知识讲座

19 电流产生的磁场 从微观讲,分子电流能产生磁性,从宏观上讲,导体上只要有电流流过,其周围也会产生磁场,即产生磁力线。磁力线的多少与流过导体的电流强度成正比;磁力线的方向取决与导体上的电流方向,两者的关系如图1所示。