从畸变的二阶冲激响应中反演

通过分析，本文指出了使二阶系统冲激响应产生畸变的主要因素是二阶系统阻尼自由振动的参预，为消除二阶系统暂态过程对冲激信号的影响，通过实例，介绍了实例畸变冲激波形反演原始激励的技术。     

谐振腔纵向及横向电场的测量

文章介绍了适用于加速腔高次模式电场分布的测量技术。研制了适用于Ｓ波段的高灵敏高方向性的笼子式微扰体，可在其它场分量较强的背景下检测较弱的电场分量。为了避免高方向性微扰体的定位误差，采用了“双线法”支撑微扰体。建立了专用的机械装置可方便地使微扰体在待测区域三维空间中移动，进行纵向或横向电场的测量。     

波导中非弹性散射产生的光学相位共轭

本文研究了在装有CS2的波导管中后向非弹性散射的相位共轭特性和在全息红宝石激光器中应用的可能性。在实验中激光器的放大级产生的光束畸变由共轭波反向再次通过该放大棒，得到了较好的补偿。     

用于圆筒状零件内表面等离子体浸没离子注入的偏转电场法

等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）为解决束线离了注入所难以解决的圆筒状零件内表面注入处理问题提供了新要可能途径，但在应用中却受到注入能量和注入剂量偏代的限制，本文针对这一问题了偏转电场法用以提高内表面注入的能量和注入剂量，实验结果表明，采用这一方法可以有效地改善圆筒状零件内表面注入的注入情况，注论述工提高了２５％～１００％，注入剂量提高了７３％～１１３％，注入脉冲宽度的延有利于注入离子向部深入，利于     

^137Cs事故受照人员外周血淋巴细胞染色体畸变的随访观察

本文报道了３６例在５个月内多次受到＾１３７Ｃｓγ射线源照射受照人员的细胞遗传学随访观察结果。结果表明，在照后１年和５年，各类染色体型畸变明显高于对照组，差异显著或非常显著。由于非稳定性畸变的不断丢失。在照后５年，染色体畸变率比照后１年明显降低，但此时畸变细胞率和累积剂量之间仍存在正相关关系。     

高压下La0.4Bi0.1Ca0.5MnO3中晶格畸变的研究

通过原位下的高压同步辐射X光衍射技术，对具有钙钛矿结构的La0.4Bi0.1Ca0.5MnO3中存在的Jahn-Teller畸变，进行了研究。实验表明在压力的作用下，样品中的畸变有所减小，超于理想的立方结构，并且在1．4GPa左右存在一个过渡相。     

微量元素铋,锑对大断面球铁件石墨形态的影响

本实验使用光学显微镜和分析电检查了石墨形态。实验结果表明，在含稀土的球铁中加入铋，锑可以使石墨政治协商会议数量显著增加，并使石墨球更加细小、圆整、消除了大断面球铁中的畸变石墨。另外，检查结果发现，石墨核心主要是由稀土与铋、锑、铝等元素组成的复杂化合物。因此，可以认为导致大断面球铁石墨畸变的根本原因是缺乏足够的稳定结晶核心。     

高压RESURF LDMOST的开态电阻与关态电压

降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优化设计深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。     

微分型液晶空间光调制器

本文介绍了基于横向电场电光效应的微分型液晶空间光调制器。写入光强度的空间变化梯度产生横向电场,使垂直排列液晶分子倾斜,发生双折射效应。纵向电场提高了写入速度及擦除速度。本文给出了微分型液晶空间光调制器的理论依据及初步实验结果。