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91.
过渡金属硫属化合物(TMCs)由于具有优异的光学、电学及光电等特性,被广泛应用于光催化、太阳电池、激光器等领域。作为一类典型的TMCs材料,硫化钴量子点(CoS QDs)因禁带宽度较窄而具有优异的近红外吸收特性,有望用于红外技术领域。文中采用液相超声剥离法制备了CoS QDs,再用共混法制备得到CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜,并对它们的光学性质进行了研究,结果表明:CoS QDs的平均尺寸约为5 nm,大小均匀,呈球形;CoS QDs与CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜在红外波段均存在明显的吸收和发光特性,且复合薄膜的红外吸收特性优于CoS QDs薄膜;随着激发光波长的增加,纳米复合薄膜的光致发光(PL)峰出现了红移,表现出明显的Stokes位移效应和激发波长依赖性。CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜优异的红外吸收和发光特性,表明其在红外探测、荧光成像、纳米光子器件等研究领域中具有重要的潜在应用价值,有望成为一种新型红外探测材料。  相似文献   
92.
利用宏观和微观分析相结合的方法,定量分析了SBS改性沥青超热老化模式下氧化与挥发的贡献机理。通过研究不同老化温度下常规三大指标,DSR流变车辙因子分别在空气氛和高纯氮气氛下老化的衰变规律,并结合傅里叶变换红外光谱微观表征手段,定量计算出SBS改性沥青超热老化过程中氧化与挥发的贡献率,得出SBS改性沥青在超热老化模式下,其老化机理是以SBS分子中的双键被氧化为主要因素,但随着超热老化温度升高,小分子挥发等非氧化因素逐渐成为超热老化的又一主要因素。宏观分析中,从普通老化的163℃到超热老化的198℃,氧化与挥发对SBS改性沥青针入度衰减的贡献率比由6∶4变为1∶1;对延度衰减的贡献率比由7∶3变为1∶1;对车辙因子的贡献率比由24∶1变为2∶1;而红外光谱微观分析中,氧化与挥发对SBS改性沥青超热老化后不饱和双键的衰减贡献率比由7∶3变为1∶1。  相似文献   
93.
本文以单片机AT89C52为控制核心,设计和实现了一个室内照明节能控制装置。系统采用传感技术探测光亮度和人体的存在,用单片机控制室内照明。AT89C52单片机作为该系统控制装置的智能部件,感知人体的存在则是用到了热释电红外传感器,以光敏元件为主要元件的电路用来检测光照强度。单片机根据取样电路采集到的光照强度、人体信号、时钟电路、时间等信息,控制照明电路的开关操作,从而实现照明节能控制。  相似文献   
94.
新奇硬件     
《电脑迷》2011,(24):50-50
多功能红外遥控器联力胜KP-810-16这款由联力胜推出的红外遥控器具备迷你无线三轴飞鼠键盘和学习型红外遥控器的功能,产品正面为82键QWERTY键盘,有LED背光灯。还带了三轴(X,Y,Z)飞鼠键盘功能,简单讲就是  相似文献   
95.
初见精华隆这款型号为ED680的被动红外探测器,感觉其外观设计十分简洁大方。外壳采用白色ABS塑料材质,是长期使用台湾稳定供应商原料并由精华隆自己的塑胶部进行生产,保证其外观颜色的一致与协调。观察该产品的安装处,可以看到其采用了外插式接线方法,安装无需打开探测器外壳,也不用拆开线路板.  相似文献   
96.
利用激光拉曼光谱、红外吸收光谱并结合宝石学特征对山东昌乐某蓝宝石砂矿中的锆石谱学特征和变生程度进行了研究.拉曼图谱显示,锆石的变生系数H/W值(1007 cm-1)大都大于600(在625~5412,仅1个为441),主要为全晶质锆石和弱变生锆石,变生程度很小.红外光谱的结果表明,锆石的结晶程度高度一致,H/M值(610 cm-1):原样为20~23,氧化条件热处理(600℃)后为20~22,还原条件热处理(600℃)后为28~30,判断为晶质锆石;样品的物理性质与晶质锆石比较接近.因此,所测样品为变生程度很弱的高型锆石,还原条件下热处理后锆石的变生系数有明显增大,其结晶度有所改善.  相似文献   
97.
红外测温技术在发电厂和变电站主要是用在测量电气设备温度,即测量电气设备电流发热过载情况;但对测量旋转设备的轴承温度;密封容器是否泄露;管道或其它设备的温度是否正常分布等使用较少。以下介绍几例通过测量设备非载流部分温度,发现设备故障的情况,供参考。  相似文献   
98.
红外图像独特的热辐射特性,通常是由其各个子部件的红外热辐射特性所形成的。文中在传统红外热图像特征量的基础上,通过分析红外热图像自身特性以及它的形成与其自身姿态的关系,提出了对目标物体红外热图像基于目标姿态的子分类,并对目标红外热图像进行了子区域分割,通过多目标分类器进行识别,形成了新的红外图像特征量。  相似文献   
99.
中国科学院上海技物所进行的启明星项目——“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”通过验收。  相似文献   
100.
谭俊  张平  蔡志海  王晓晴  唐云 《核技术》2003,26(5):349-352
运用离子束辅助沉积(IBAD)法在硅片上制备了立方氮化硼(c—BN)薄膜,研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中c—BN含量的影响。用红外光谱(FTIR)及X射线光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c—BN膜进行了分析。结果表明:合适的离子辅助能量能够获得c—BN含量高的薄膜;膜中c—BN的含量随辅助气体中N2含量的提高而增加;辅助束流对薄膜的形成影响不明显。  相似文献   
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