线性分布的In组分对紫色InGaN/GaN单量子阱发光特性的影响

采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性.通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高,而In组分线性减小的样品发光效率最低.这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响,使阱内价带变得更加平缓.这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度,还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分,提高了辐射复合几率,从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高.     

CMOS高线性变增益放大器

设计了用于无线接收机的中频变增益放大器.该放大器由运算放大器和电阻反馈网络组成.分析了闭环变增益放大器产生失真的原因,通过提高输出电阻的线性等方法降低了输出大信号的失真.设计的全差分变增益放大器使用韩国"东部"CMOS 0.25 μ m工艺,电源电压3.3V,在2Vpp差分输出下,失真低于-80dB,放大器功耗3mW.     

磁光玻璃Verdet常数的精确测量

为了精确测量磁光玻璃的Verdet常数,设计了测试光路;应用光学矩阵方法对测量原理进行了分析,得到了具有线性双折射时磁光玻璃的法拉第偏转角的计算公式,并进一步得到了线性双折射较小时磁光玻璃Verdet常数的计算公式.在实验室条件下对同一块磁光玻璃用633nm和780nm两种激光光源分别进行了测量,测量结果表明:只有当线性双折射引起的相位延迟量远小于法拉第偏转角时,测量得到的Verdet常数可以忽略线性双折射,否则必须要消除线性双折射的影响,这对于磁光玻璃在光学电流互感器中的应用具有重要的参考价值.     

一类时延网络控制系统的最优非脆弱H∞控制

针对一类时延网络控制系统,研究了当存在有限能量外部扰动时,系统的最优状态反馈非脆弱H_∞控制律的设计问题。通过将时延看作系统的时变参数不确定性,应用H_∞鲁棒控制理论及线性矩阵不等式(LMI)技巧,给出了具有控制增益扰动的次优非脆弱H_∞控制律存在的充分条件,提出了最优非脆弱H_∞控制律的设计方法。数值仿真例子表明了所提方法的有效性。     

基于分类线性加权的源-目标话者声音转换算法的研究

源-目标话者的声音转换是一种变换说话人声音特性的技术,它将源说话人的声音转换成另一个指定的目标说话人的声音.对源话者声道谱特性的修改是声音转换的关键之一.为了克服一般分类线性转换算法中分类不准确所带来的误差,本文引入了分类线性加权转换的策略,根据不同子类的转换函数对谱特性的贡献,赋予不同的加权系数,给出了一种基于GMM后验概率加权的线性转换算法.在微软汉语普通话语音数据库上做的四组对比实验表明,该算法在谱转换性能上均有不同程度的提高.     

改进的LCMV算法在多波束形成中的应用

基于线性约束最小方差(LCMV)算法的自适应波束形成技术,得到的方向图能保证期望信号方向增益最大,非期望方向形成零陷。但实际应用中由于不可避免的存在阵元位置误差、阵元相位误差及指向误差等(统称为相位误差),使约束的导向矢量与真实期望信号的导向矢量不一致,从而影响系统的性能。改进的LCMV波束形成算法——基于迭代二阶锥的唯相位波束形成技术,通过改变移相器的相位,使各阵元输出信号相位一致,在多个方向上形成主波束,阵列输出功率最大。     

SAR雷达干扰效果的度量

合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar)是一种高分辨率成像雷达。它通过发射线性调频(LFM)的脉冲压缩信号实现距离上的高分辨率，利用脉冲之间的多普勒信息获得方位上的高分辨率。本文提出了对SAR雷达干扰效果度量的准则，并分析、检验了几种典型干扰样式的作用效果。     

1kW单通道电视发射机串联型稳压电源原理及检修

本文系统阐述了电视发射机串联稳压电源的基本原理,通过分析单元电路的组成和作用,分析故障产生的原因和处理方法,提供维修指南。     

微片激光器线性调频技术的研究

提出一种激光线性调频方法。在微片激光器谐振腔中插入电光晶体,利用电光晶体的线性电光效应,通过对外加电场的控制,可以得到线性调频的激光信号。采用该方法,可获得较高的调制频率和较大的调制范围,能够满足激光雷达和测距仪的要求,而且外加电路实现简单、易控制。     

A millimeter wave linear superposition oscillator in 0.18 μm CMOS technology

This paper presents a millimeter wave （mm-wave） oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition （LS） technique breaks through the limit of cut-off frequency （JET）, and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density.