中压电动机传统起动方式的危害性

本通过对中压电动机的几种传统起动方式的探讨分析，阐述了使用这些方法对电网和周围其他用电设备产生的不利影响，提出了改进措施。     

变压器事故原因分析

通过分析一次变压器事故的原因。指出变压器实际运行中存在的问题。并结合自己的工作经验提出科学的改进建议。     

油质炭化对SNl0—l0型少油断路器的影响

文章从变压器油在不同电机间隙时的耐压试验及正常油与炭化后油的特性分析试验两方面探讨了油的炭化对少油断路器的绝缘程度及灭弧能力的影响程度。     

0.2μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用

0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70%以上,可靠性良好.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

偏心磨损套管应力分布的双极坐标解答

因井眼狗腿度和钻柱的受力变形造成套管内壁磨损,导致套管抗挤毁强度和抗内压强度降低。内壁磨损套管的横截面形状多为月牙形,很难得到其应力分布的解析解。文章将其简化为偏心圆筒模型,并把直角坐标向双极坐标转换,得出了偏心磨损套管在内外压联合作用下应力分布的解析解。以139.7 mm×7.7 mm-N80套管为例,得出了套管剩余壁厚为4.2 mm时,偏心圆筒模型的应力分布曲线,确定了影响磨损套管应力分布的主要因素。