阿鸠田电站SF35-16/4100水轮发电机绝缘工艺

云南保山阿鸠田电站由三台SF35-16/4100水轮发电机组成,单机额定容量35 MW,额定电压10.5 kV,定、转子绕组均采用F级绝缘。根据用户要求采用了一些新绝缘结构,并进行了大量的工艺试验,生产中选择优质材料,严格控制工艺过程,使已出厂的三台发电机定、转子线圈及定、转子装配的电气绝缘性能优良。文章就机组定、转子绕组绝缘工艺进行了简要的介绍。     

MUSICAL FIDELITY(音乐传真)STABLE-1绝缘减震板

比较深入玩过LP唱机的人都知道，摆放唱盘的平台必须要非常稳固，否则外界的震动会引发机震，虽然非常轻微，但通过灵敏度极高的唱头拾取、再经过高增益放大，就会在音箱中产生轰隆隆的杂音。另外有时在音量较小的情况下听不到任何杂音，而音量一旦加大则杂音就出现，并随着音量的增加也迅速增长，原因就在于：大音量时低音扬声器振膜推动空气的振动强度也较大，正是这种空气振动引起了机震，从而产生杂音。通常把这种现象称为“声反馈”。     

通信系统防雷接地技术初探

接地技术的引入是为了防止电力或电子等设备遭雷击而采取的保护性措施，目的是把雷电产生的雷击电流通过避雷针引入到大地，从而起到保护建筑物的作用。同时，接地也是保护人身安全的一种有效手段，当某种原因引起的相线（如电线绝缘不良，线路老化等）和设备外壳碰触时，设备的外壳就会有危险电压产生，由此生成的故障电流就会流经PF线到大地，从而起到保护作用。随着电子通信和其它数字领域的发展，在接地系统中只考虑防雷和安全已远远不能满足要求了。比如在通信系统中，大量设备之间信号的互连要求各设备都要有一个基准“地”作为信号的参考地。而且随着电子设备的复杂化，信号频率越来越高，因此，在接地设计中，     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。