植入式片上系统的发展与现状

对目前国际上植入式片上系统的最新研究现状进行分析,总结了植入式生物信号检测与微电刺激系统的基本结构模型;介绍了系统的工作原理,讨论了系统实现的关键技术、存在的问题及可能的解决方法;最后,对植入式系统的发展趋势进行了展望.     

AlGaN/GaN HEMT 2DEG电致耦合模型的研究

传统计算AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的方法是根据Hooke定律计算c轴方向压应变与拉应变,然后利用压电模量计算出不依赖于栅压的2DEG,称为非耦合模型计算.提出了一种电致耦合模型来计算2DEG,在计算过程中考虑到弛豫度与附加电场对材料压电效应的影响,结果发现,当Al组分x=0.30时,压电极化电荷密度低于传统方法的计算值,两种模型的计算值相差7.17%,由此可见,当电场作用于材料时,材料产生逆压电效应,最终导致压电极化电荷密度降低.     

无机相变信息存储材料研究新进展

硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点.与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用.总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景.     

有机磺酸掺杂聚苯胺的光电性能

对十二烷基苯磺酸（ Ｄ Ｂ Ｓ Ａ） 掺杂的聚苯胺进行了光电性能测试,结果表明： Ｄ Ｂ Ｓ Ａ 掺杂的聚苯胺在光照射下,光生载流子明显增大;感光材料的加入有利于聚苯胺在可见光区的吸收,并增加其导电性。对 Ａｌ－ Ｐ Ａｎ － Ｄ Ｂ Ｓ Ａ－ Ａｌ 结构的介电弛豫研究表明,在 Ｄ Ｂ Ｓ Ａ 掺杂聚苯胺的薄膜中存在空间电荷极化现象。通过理论计算与测试得知,掺杂态聚苯胺的寿命为微秒级, 迁移率为１ ×１０ － ３ ～１ ×１０ － １ ｃｍ ２／（ Ｖ·ｓ） 。从聚苯胺的电导率与温度关系中得到该材料的活化能,并分析了掺杂态聚苯胺的导电机理。     

Nb/Nd共掺Bi4Ti3O12对ZnO基薄膜晶体管性能的影响

利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,BNTN0.03薄膜的剩余极化(2 Pr)最大(71.4μC/cm2),介电常数最大(370)。测得BNTNx薄膜的居里温度约为410℃,介电损耗(tanδ)约为0.02。ZnO/BNTN铁电TFT相比ZnO/SiO2层TFT,有较好的输出特性和转移特性,其阈值电压、沟道迁移率、存储窗口和开关电流比分别达到了2.5V、5.68cm2/Vs、1.5V和1.8×105。     

高度取向ZnO薄膜的介电和光波导特性研究

用溶胶凝胶法在不同的基片上制备了具有高度 ｃ 轴即（００２）取向的 Ｚｎ Ｏ 薄膜,研究了溶剂、稳定剂等对合成的先体溶液的影响。对薄膜的 Ｘ Ｒ Ｄ 分析表明随热处理温度的增加,ｃ 轴取向度增大,并且薄膜的晶粒尺寸在 ３００ ° Ｃ～５００ ° Ｃ 范围内增幅较大。用端面耦合的方法测量了制备在 Ｓｉ Ｏ２／ Ｓｉ（１１１）基片上薄膜的波导损耗,即随热处理温度的增加,波导损耗增大,主要来源于 Ｚｎ Ｏ 薄膜与 Ｓｉ Ｏ２ 的界面及晶粒的散射。制备在 Ｐｔ／ Ｓｉ Ｏ２／ Ｓｉ（１１１）基片上薄膜的相对介电常数为 ７～１３,电阻率则为 １．７×１０４ Ω·ｃｍ ～９．８×１０５ Ω·ｃｍ 。     

直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验

基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下,VDMOS失效激活能为0.57~0.68 eV,寿命为7.97×105~1.15×107h;在脉冲工作状态下,VDMOS失效激活能为0.66~0.7 eV,寿命为4.3×105~4.6×106h。对跨导的退化机理进行了分析。     

看图说故事（续）

笔者多年来一直对ENIG做为焊接表面处理感觉不安,概言之ENIG焊锡性虽很好但焊点强度却不佳。然而需要通过5～6次强热最后才派上焊接用场的表面处理（例如CPU载板）还非得ENIG不可!于是有了ENIG与电镀镍金于无钱回焊中的同台演出。     

DC/DC模块中功率器件的寿命预计方法

模拟开关电源DC/DC模块内部电路为开关电源中的功率器件—垂直导电双扩散MOS(VDMOS)和肖特基二极管(SBD)—提供恒定电应力,并对其施加温度应力进行加速寿命试验。采用恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对开关电源中功率器件VDMOS和SBD的可靠性进行评价;对其失效机理一致性进行分析,计算其失效激活能;并在失效机理一致的范围内外推正常使用条件下的寿命,为开关电源整体可靠性评价提供依据。     

宽温区热释电陶瓷的复合烧结法与性能研究

富锆型PZT陶瓷在室温附近发生低温铁电三方相到高温铁电三方相的相变(FRL-FRH)相变并产生很大的热释电系数,相变过程中介电常数和损耗变化很小,相变温区很窄,相变温度随锆钛比的不同而不同。该文选取锆钛比为95/5和93.5/6.5的Mn掺杂PZT材料进行复合烧结,以期展宽相变温区。实验结果表明,两种初始原料1 100℃预处理后按照质量比1∶1进行复合烧结,相变温区得到了有效的展宽,在19～43℃内热释电系数p大于6.3×10-8 C/(cm2.℃),探测率优值FD大于7.7×10-5 Pa-1/2。通过对热释电、介电和铁电性能的综合研究,发现复合烧结在优化PZT陶瓷热释电性能的同时优化了其介电和铁电性能。