土壤氡析出率的静态累积闪烁测量方法

在概述氡的迁移机制和测量氡析出率计算方法的基础上,重点阐述了静态累积闪烁法测量氡析出率的基本原理、附属设备、测量步骤及影响因素。通过实验分析动态抽气对静态累积测量的影响和实际测量室外土壤表面的氡析出率,证实用闪烁法FD216测氡仪测量氡析出率是准确快捷的。     

硅光电管-闪烁体探测器γ谱仪研制

实验研制了硅光电管-闪烁体探测器γ谱仪。该γ谱仪用硅光电倍增管代替普通光电倍增管作为闪烁体探测器的光学读出端,配置闪烁体探测器,构成新型γ谱仪。测试结果表明:新型γ谱仪随温度漂移变化程度大;能量线性较好,线性相关度R为0.9987;配置LaBr_3:10%Ce~(3+)晶体,其能量分辨率为4.3%~4.9%;配置NaI(TI)晶体,其能量分辨率为8.4%。     

氘-氘聚变反应高能γ射线产额的实验研究

本文对低能D(d,γ)⁴He聚变反应进行了实验研究。由于D(d,γ)⁴He聚变反应γ射线的产额低、能量高、本底大,实验采用大NaI-塑料闪烁体反康谱仪,以提高探测效率并降低宇宙线的影响;采用脉冲束飞行时间方法区分中子和γ射线,以减小中子和宇宙线本底的影响。实验测量了300 keV d束轰击厚D靶和薄D靶两种情况下的γ数据。在计算反应产生23.8 MeV的高能γ峰面积时,采用了拟合法扣除本底。实验测得,对厚靶,D(d,γ)⁴He反应截面为2.47×10^-37m²;对薄靶,D(d,γ)⁴He反应截面为4.36×10^-37m²。     

闪烁探测器中子相对光输出曲线标定技术

叙述了利用多道分析仪标定闪烁探测器光输出曲线的原理,用挡锥法消除了大厅散射中子和γ本底的影响,通过空靶(不含D和T)实验消除了靶头产生的γ的影响.实现了闪烁探测器中子光输出曲线的标定.     

基于FPGA的超高亮液晶显示动态调光系统的设计

针对在超高亮环境下,液晶显示的功耗大、散热高、画面对比度低的问题,设计一种基于FPGA的动态背光系统。基于vesa标准的分区亮度提取与分帧加权背光驱动数据处理,通过FPGA对背光灯板的驱动IC的控制,实现对每个微小型区域背光进行单独控制。实现了在高亮环境下,采用动态区域调光算法的背光灯板与传统全局背光灯板相比,相同功耗下对比度提高了35.8%,有效的提高了画面的显示质量;同时,在达到相同亮度的情况下,功耗降低了50%左右。有效地解决了因全局背光带来的功耗高、对比度低问题,实现了背光亮度可根据液晶画面灵活调整,达到了降低功耗同时提升画面的显示效果。     

垂直耦合式飞行时间计数器

本文介绍一种光导与闪烁体垂直耦合式的端盖飞行时间计数器,它既有较满意的物理特性,又满足了机械尺寸的要求,光导占用较小空间。时间分辨率(标准偏差)为150—217ps。     

强弱起伏下电离层电波闪烁特性

基于随机媒质电波传播理论,采用Rytov近似和Markov过程近似,得到了强、弱起伏下,电离层电波传播的强度闪烁指数.结合电离层电子密度不均匀体起伏的Shkarofsky功率谱函数,对电离层强、弱起伏下的电波闪烁进行数值模拟和讨论.结果表明,不同的电波频率,电离层电子密度不均匀体不同的厚度,电子密度不均匀体的内、外尺度,谱指数以及电子密度不同的起伏方差,均对电离层电波闪烁产生一定的影响.     

大尺寸 Ce:Lu1.6Y0.4SiO5闪烁晶体的生长和光谱特性

采用中频感应提拉法生长出尺寸为φ60mm×110mm的CeLu1.6Yo.4SiO5(LYSO)晶体,与LSO晶体相比,LYSO晶体的优势是提高了晶体质量、降低了熔点和原料成本等.在室温下测试了LYSO晶体的透过光谱、激发光谱和发射光谱,结果表明Y的加入使LSO晶体的吸收边向短波方向偏移.Ce3+的4f1→5d1跃迁吸收导致紫外区产生三个吸收带.发射光谱具有Ce3+典型的双峰特征,经Gaussian多峰值拟合,双峰395nm和418nm归属于Ce1发光中心,而435nm的发光峰与Ce2发光中心有关.     

BGO矩形探测元探测效率的研究

理论计算了三种不同规格BGO晶体对于^137Cs0．662MeVγ射线的探测效率,并用GEANT4进行了Monte Carlo模拟,计算值与实验中光电倍增管测得的值进行了比较,给出了不同规格晶体对γ射线探测效率的区别,三者趋势基本一致。最后用^133Ba、^22Na、^137Cs和^60Co源测量了BGO探测元的能量线性,三种晶体对^137Cs0．662MeVγ射线的能量分辨分别为18．12％、18．08％和18．12％。     

氡在聚合物膜中渗透系数的测定

为向江门中微子实验用膜的选择提供参考,研究了一种测定氡在聚合物膜中渗透系数的方法,设计加工出可利用闪烁液进行采样的膜渗透采样装置,并测量了不同类型聚合物膜的渗透系数。实验结果表明:膜渗透采样装置的本底及密闭性符合实验要求;聚合物膜表面氡析出达到稳定状态至少需要18d;PVC膜的氡渗透系数最低。