以超快速冷却为核心的新一代TMCP技术

与传统TMCP技术采用“低温大压下”和“微合金化”不同，利用连续轧制的大变形和应变积累，提出以超快速冷却技术为核心的新一代控制轧制和控制冷却技术（NG-TMCP），描述了它的技术特征和材料特点，指出这是一项节省资源和能源、有利于材料循环利用、促进社会可持续发展的新技术。     

“行业视察”神州行

我国未来15年内将建40座核电机组；我国近两年内将建1000千伏特高压输变电工程；北京奥林匹克森林公园近日开工；上海投资500亿元将建“东方水都”；上海世博会装饰工程第一标“名花有主”；     

我国超痕量检测技术达到国际先进水平

从来自中华医学会科技评审部的消息，在国家“十五”攻关重大专项和国家重大科技专项的支持下，由中国疾病预防控制中心营养与食品安全所完成的“二恶英、多氯联苯和氯丙醇的痕量与超痕量检测技术研究”，不仅使我国的二恶英、多氧联苯和氯丙醇的超痕量检测技术通过了国际质量分析考核，得到国际认可，而且使我国首次以起草国身份参与国际食品法典委员会（CAC）有关二恶英控制等国际标准的起草和制定工作。     

小型高压小流量轴流风机设计理论

应用积分方法求解轴流风机径向平衡方程，扩大了方程稳定解的范围，同时应用叶栅理论计算小尺寸的高压轴流风机的损失，并采用压缩机叶栅的实验修正数据，设计了一台高压小流量轴流风机，通过ＧＢ１２３６－８５风机标准试验，基本达到设计要求。     

高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。