Mo／SiO2软X射线多层膜的结构研究

本文用磁控射方法制备了几种Ｍｏ／ＳｉＯ２多层膜。在北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的衍射站上测量了其氏角Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱，并利用基于光学动力学理论的递推公式对低角Ｘ射线衍射谱进行了拟合，定量分析了膜层的周期结构和界面度以及界面度与层数、层厚的关系。同时用高分辩电子显微镜（ＨＲＥＭ）对一样品的截面进行了观察。     

新型超微晶软磁合金FePCCuMoSi微观结构缺陷的正电子湮没研究

用正电子湮没方法研究了新型超微晶软磁合金的微观结构缺陷，样品选用的是在不同温度下退火的Ｆｅ８１Ｐ１２Ｃ３Ｃｕ１Ｍｏ０．５Ｓｉ２．５合金，结果表明，合金的微观结构构陷大小，密度随退火温度有规律地变化，这种现象可能与非晶的晶化过程有关。     

新型银铁电触头材料试验研究

对采用粉末冶金与化学热处理相结合的方法研制的电触头材料进行了理化性能、显微组织和抗氧化性能试验，探讨其机理及对性能的影响因素。试验表明：所研制的触头的理化性能基本达到了国标规定的相近触头的指标，其显微组织和抗氧比性能则优于国标规定。Ａ＿（ｃ４）加速模拟电寿命试验的结果证实该种触头材料应用前景良好。     

重力坝抗震软设计

研究重力坝在地震荷载作用下的软设计，讨论了重力坝结构设计的中的不确定性因素，提出了软设计数学模型，并探讨了其求解方法，实例计算表明软设计成果安全可靠且经济合理。     

CCD多路开关组件的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。     

IGBT开关励磁的原理及应用

本文给出了新型功率半导体器件（ＩＧＢＴ）的基本特性和驱动方法，及其工作在开关状态下的功率损耗计算方法。同时讨论了ＩＧＢＴ在开关励磁中的应用和原理，给出了开关励磁磁磁装置的基本输出输入关系。最后，本文指出相对于可控硅励磁，开关励磁在控制和驱动方面具有突出的优点。     

基于工程应用观点的软仪表开发策略

软仪表至今尚缺乏系统的开发思路。本文根据现代设计方法学的理论，从工程应用的角度探讨了软仪表的开发策略，给出了软仪表的开发步骤及内容，指出了开发中应注意的问题。该策略能提高软仪表的开发效率，减少实施中的盲目性，现已成功地运用到某纸机低定量纸张水分的软测量实践中。