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广站 《电子制作.电脑维护与应用》2006,(9):27-27
1.主机(又称P111G-M):单独一个主机就可以实现自动控制,但是在给主机写入程序时,需要借助仪表(又称P111G-B)。输入、输出端不够则需加扩展单元。主机根据分为两种:(1)1型:有6个继电器输出端、10个开关量输入端。型号是P111G-M1(390元)。(2)2型:有6个继电器输出端、7个开关量输入端、2个模拟输入端。型号是P111G-M2(430元)。2.仪表(又称P111G-B):仪表只有一种,型号是P111G-B(100元)。用于给主机写入程序,有些用到显示器的控制,可以用仪表来作显示器。3.扩展单元(又称P111G-K):如果一个主机的输出端和输 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2006,43(2):73-74
已经证实,由有机化合物组成的激光活性固体材料,在整个可见光谱区具有产生激光的能力。它们的潜力来自内在的优点,如有机化合物的调谐范围宽,有多种化合物可用,易于做工程实际装置。缺点包括实现直接电激励困难,以及缺少在紫外区发射的化合物。 相似文献
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通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
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采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
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《视听技术》2006,(3):74
美国真空管知名老厂Audioresearch,近来可说是动作频频,连续推出了多款重量级的制品,继前阵子发表的旗舰前级Reference 3之外,还推出了一款堪称怪兽级的单声道旗舰后级Reference 610T,为什么会说它是怪兽级呢?看看上面使用的真空管数量就知道了,610T总共用上了19支真空管,增益级用的是两支双三极6NIP与一支军规6H30,功率管部分则是用了八对6550C。用上这么多真空管,当然大家最担心的还是管子寿命、偏压的调整与真空管产生高热等三个问题,而所有这些问题Audioresearch都考虑到了。610T上使用的真空管寿命至少达2000小时以上,偏压的调整钮设有两个,加上真空管采开放式地设置在机器的最上方,如此一来便能自然的散热。另外610T还有一个与以往不同的地方,就是所有的信息都显示在一个与Reference 3前级相同的大型液晶面板上。至于大家最关心的功率输出,单声道能输出足足600W,这项成就绝非一般的功率放大器能达到。 相似文献
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回想六年前英特尔公司刚刚推出Pentium4处理器的时候,很多PC厂商在产品跟进上都没有表现得特别积极,而是采取了保守的观望态度,毕竟Pentium4相对于Pentium III处理器来说发生了体系结构的变化,而最初的Willamette核心又没有表现出明显的优势,因此很难令人信服。相反,采用全新Co 相似文献