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电过应力是造成MOS集成电路损伤的主要原因,本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力的损伤模式和机理。 相似文献
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GL系列感应式过电流继电器的整定调校方法梁玉龙盐城市煤矿水泥厂(224001)我厂6kV供电系统在1989年投入运行,整个系统的各级直配开关的继电保护全部采用GL系列感应式过电流继电器。虽然这种继电器有许多优点,但在整定调校方面却不如DL系列“电磁式... 相似文献
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王公平 《特种铸造及有色合金》1992,(6):34-36,39
阐述了硅元素在铝硅合金中的作用以及过共晶铝硅合金用于活塞生产的优点。采用正交试验的方法。探讨了ZAS23过共晶铝硅合金熔炼和热处理的工艺及参数。 相似文献
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镇海电厂~#6机励磁系统中转子软反馈环节存在的问题及解决办法浙江省电力局中心调度所李海翔1问题的提出随着电网的迅猛发展以及各种安全稳定措施的应用,传统的采用Eq’恒定发电机模型的短过程暂态稳定分析已不能满足要求,迫切需要开展诸如小干扰稳定分析,快控等?.. 相似文献
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