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31.
基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片。使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数更小。薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片与微波单片集成电路(MMIC)开关电路芯片采用自主可控的FBAR工艺、 0.35μm GaAs工艺研制。为满足窄带、高矩形度、低插入损耗开关滤波器组的需求,FBAR滤波器电路采用阶梯型拓扑结构。开关电路使用串-并联混合结构,兼顾低插入损耗和高隔离度。经探针台测试结果显示,各通道中心插入损耗小于3 dB,矩形系数比约为2.0,带外抑制大于45 dBc。开关滤波器组芯片面积为4 mm×4 mm,高度约为0.4 mm。  相似文献   
32.
为提取反映金属氧化物避雷器(metal oxide arrester, MOA)老化水平的特征量,建立了基于扩展德拜模型的氧化锌(ZnO)阀片等效电路模型,利用提高温度的加速交流电老化方法对多块ZnO阀片样品进行了不同老化时长的电老化试验,并测量了不同老化程度阀片的直流伏安特性曲线、直流1 mA电压(U1mA)以及频域介电谱(frequency domain dielectric spectroscopy,FDS)数据。结果表明:试验样品的U1mA随着老化程度的增加而降低;介质损耗角tanδ,复电容实部C′(ω)和虚部C″(ω)值均随着老化程度的增加而增大,且在低频范围内(10-3~101Hz)变化明显;在老化过程中,扩展德拜模型中的绝缘电阻参数R0降低,而几何电容参数C0增加,其余极化支路参数呈现先下降后上升的规律。同时提出了表征MOA老化水平的特征量介质损耗面积Sp,结果表明该特征量与老化时间和U1mA均呈二...  相似文献   
33.
印制电路板部分产品开始引入台阶插件孔的设计,用以安装元器件,提高产品集成度或达到信号的屏蔽作用.文章以使用高频材料并含有台阶插件孔印制电路板为对象,研究半固化片钻孔开窗大小以及台阶插件孔除胶方式对台阶插件孔质量的影响,制作出符合产品需求的台阶插件孔印制板.  相似文献   
34.
本文提出采用进口AMINO MOULDING COMPOUND(氨基浇铸压模混合物)取代目前国内生产使用酚醛树脂,并加入氯丁橡胶进行混炼对氨基树脂进行改性,制作成锋利又耐磨、耐热、耐水,剥离强度高,柔韧性好的软磨具磨具,应用于石雕工艺品磨削加工,获得较好的效果。  相似文献   
35.
目的:对迈康片的毒理安全性进行研究.方法:应用小鼠急性经口毒性实验评价迈康片的急性毒性;通过遗传三项实验评价其遗传毒性;通过大鼠的30 d喂养实验评价其亚急性毒性.结果:雌、雄小鼠经口急性毒性试验的最大耐受量>20.0 kg.bw,根据急性毒性分级,受试物属无毒级物质;三项遗传实验的结果与对照组比较均为阴性(P值均>0...  相似文献   
36.
针对PET瓶片回收再生的工艺特点,本文重点介绍了PET再生双螺杆挤出机的结构设计,该挤出机在PET再生利用生产中应用情况良好,可以创造较大的经济效益与社会效益。  相似文献   
37.
导言 数字中间片(DI)最早是柯达所属的Cinesite公司所使用的一个闭环系统,专门用来扫描35毫米胶片,转成图像数据之后再将数据进行处理,最后记录回胶片之上,然后将这些新的胶片插入传统的胶片工作流程。由于这项技术以胶片开始又以胶片结束,因此得名数字中间片。现在虽然还继续使用这个名称,但是已经不再总是从胶片开始再到胶片结束了,原来的工艺路线已越来越模糊。  相似文献   
38.
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸= 2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H2比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101 μm/h.同时,系统研究了 C/Si比对4H-SiC同质外延层生长速率、表面缺陷密度和基面位错密度的影响.采用光学...  相似文献   
39.
在双碳目标和铝代铜的趋势下,平行流微通道换热器应用于小型制冷系统已成为研究热点。针对微通道蒸发器存在的结霜问题展开综述,首先对传统水平翅片结构及其改进方案进行介绍,特别叙述针对结霜工况设计的竖插翅片微通道结构;然后分析微通道换热器结霜的仿真模型,并从微通道替代翅片管换热器、环境工况、结构参数、表面涂层的影响四个角度归纳现有的实验研究。为在产品中推广应用,未来仍需在结构上优化创新、研发有效的延霜涂层、应用其他抑霜技术,同时开发高精度的微通道结霜模型,制定完整的微通道换热器设计流程。  相似文献   
40.
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