全文获取类型
收费全文 | 162990篇 |
免费 | 11251篇 |
国内免费 | 7737篇 |
专业分类
电工技术 | 37112篇 |
技术理论 | 5篇 |
综合类 | 12394篇 |
化学工业 | 11376篇 |
金属工艺 | 4069篇 |
机械仪表 | 9123篇 |
建筑科学 | 14657篇 |
矿业工程 | 8132篇 |
能源动力 | 3206篇 |
轻工业 | 12278篇 |
水利工程 | 6552篇 |
石油天然气 | 4129篇 |
武器工业 | 1267篇 |
无线电 | 26682篇 |
一般工业技术 | 10269篇 |
冶金工业 | 3560篇 |
原子能技术 | 1156篇 |
自动化技术 | 16011篇 |
出版年
2024年 | 1301篇 |
2023年 | 4477篇 |
2022年 | 5671篇 |
2021年 | 6525篇 |
2020年 | 4977篇 |
2019年 | 4833篇 |
2018年 | 2398篇 |
2017年 | 3685篇 |
2016年 | 4552篇 |
2015年 | 5769篇 |
2014年 | 10454篇 |
2013年 | 7994篇 |
2012年 | 9687篇 |
2011年 | 9753篇 |
2010年 | 8819篇 |
2009年 | 10002篇 |
2008年 | 12432篇 |
2007年 | 9441篇 |
2006年 | 7986篇 |
2005年 | 8293篇 |
2004年 | 7191篇 |
2003年 | 5615篇 |
2002年 | 4066篇 |
2001年 | 3700篇 |
2000年 | 3106篇 |
1999年 | 2634篇 |
1998年 | 2368篇 |
1997年 | 2205篇 |
1996年 | 2057篇 |
1995年 | 1814篇 |
1994年 | 1619篇 |
1993年 | 1367篇 |
1992年 | 1295篇 |
1991年 | 1174篇 |
1990年 | 1020篇 |
1989年 | 997篇 |
1988年 | 188篇 |
1987年 | 146篇 |
1986年 | 94篇 |
1985年 | 70篇 |
1984年 | 55篇 |
1983年 | 29篇 |
1982年 | 31篇 |
1981年 | 30篇 |
1980年 | 31篇 |
1979年 | 4篇 |
1965年 | 6篇 |
1959年 | 2篇 |
1957年 | 3篇 |
1951年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
本文从蜂房系统的特性出发,在分析模拟系统同CDMA系统相互干扰的基础上,讨论了模拟系统和CDMA系统在同一区域共存时,满足一定质量条件下,CDMA系统的带宽、容量及其模拟系统的频率配置应具有哪些限制。 相似文献
82.
本文针对一往复式氢气压缩机管道振动十分强烈的情况,分析了管系的结构自振频率、气柱固有频率和气流脉动,采取了改变管系结构频率和气柱固有频率的减振措施,经实践证明获得了较为理想的减振效果。 相似文献
83.
HNO3和有机介质中U(Ⅳ)的稳定性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了HNO_3和TBP-煤油介质中U(Ⅳ)的稳定性。测定了两种介质中U(Ⅳ)、HNO_3、TBP浓度和气相中氧浓度对U(Ⅳ)氧化速率的影响。U(Ⅳ)的氧化速率都随温度提高而明显增加.其表观活化能分别为91kJ/mol(HNO_3介质)和42kJ/mol(TBP-煤油介质)。对两种介质中U(Ⅳ)的氧化速率规律进行了比较。 相似文献
84.
偏二氯乙烯生产过程中,自聚是影响VDC单体质量的一个重要环节,如何做好VDC单体的稳定,本文从理论和实践中进行了探讨,并取得了较好的效果。 相似文献
85.
86.
87.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
88.
90.
采用MC6805系列单片机并充分利用其定时器,选择测频法或测周法,可以实现定范围、高精度频率测量。此种方法只占用1个内部定时器,节省了硬件开销。 相似文献