VLSI全定制版图分级LVS验证的研究

在VLSI芯片的全定制版图设计中，LVS验证日益复杂繁琐，本文系统介绍了用HERCULES实现LVS验证的原理、流程和配置文件，并讨论了如何用HERCULES高效率的实现分级LVS(Hierarchical LVS，简称HLVS)验证，这些技术和方法已经应用在成功流片的64位通用CPU全定制版图的设计中，提高了版图LVS验证的效率。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。     

一种改进型基-8 FFT算法及其ASIC实现

本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上，根据具体应用要求，结合基-4算法的长处，对传统基-8FFT的结构做了改进，并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确，而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。     

提高焊膏印刷质量的工艺改进

焊膏印刷作为SMT工艺的第一步，其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析，讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择；对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析，指出了产生问题的原因，提出了改进措施。     

基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究

随着工艺尺寸的缩小，IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深压微米IC设计中，设计的复杂性会导致信号完整性（SI)问题更加突出，从而会影响整个产品的设计周期。本文提出了SI概念以及影响它的因素，并针对其两个主要影响因素，串扰(crosstalk)和IR压降进行了分析讨论，并提出了解决的方案。     

我国信息产业“魂”系知识产权

今天，电子信息（IT）产业已涵盖通信与网络、计算机和软件、集成电路及其元器件、消费类音视频及显示，包括现代服务业等完整的产业体系。在当今世界rr和IC产业价值链中，由于各国基础条件、产业环境不同，特别是核心知识产权掌控力的差异，产业发展呈现了起点不一的阶段和地位。     

烽火网络运营级以太网技术亮相网络世界大会

近日，第5界网络世界大会暨以太网世界大会在北京嘉里中心召开，“同一个梦想，同一个网络”成为此次大会共同探讨的主题．包括烽火网络在内的国内外的知名网络设备厂商共同参加了此次盛会，在大会上烽火网络还做了“业务驱动下的运营级以太网”主题技术演讲，并得到与会技术人员的广泛关注。     

深亚微米物理设计的挑战与方法

随着集成电路加工工艺技术向0．18微米或更小尺寸的继续发展，设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小，时钟频率越来越高，电压越来越低，上市时间越来越紧迫，因此设计复杂性迅速增加，互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战，人们展开了深入的研究，提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战，回顾物理设计的方法，比较它们的优缺点，指出它们的适用范围，最后展望深亚微米物理设计的发展方向。