激光诱导冲击成形的研究进展

激光冲击成形是一种利用高能短脉冲激光诱导的高幅冲击波的力效应使板料产生塑性变形的新技术。本文介绍了激光冲击成形的原理,系统阐述了成形工艺参数对成形质量的影响。在总结激光冲击成形研究现状的基础上,指出激光动高压加载驱动成形方法是激光冲击成形的发展方向。最后提出动高压加载驱动成形可以在微体积成形方面进行应用拓宽。     

基于功率MOSFET的慢升快降型高压脉冲信号源

利用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信号,通过栅极电阻降低脉冲前沿的上升速度;通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。在50Ω负载下脉冲的最大幅度为800V,下降沿约为15ns。     

高压gg-LDMOS在ESD应力条件下的热特性研究

The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators.The total heat and lattice temperature distributions along the Si–SiO2 interface under different stress conditions are presented and the physical mechanisms are discussed in detail.The influence of structure parameters on peak lattice temperature is also discussed,which is useful for designers to optimize the parameters of LDMSO for better ESD performance.     

高压开关触头温度实时无线监测系统的设计与实现

介绍由无线温度变送器、数据集中显示器和上位机构成的一种无线式高压开关触头温度实时监测系统,重点阐述无线温度变送器的硬、软件设计,较好地解决了高压隔离、长使用寿命和抗强电磁干扰的难题,使系统具有高可靠、低成本、安装维护和使用方便的特点,可广泛应用于高电压环境的温度在线监测领域.     

电子复合开关在电力高压配电网中的应用

针对机械开关和电力电子开关在10kV配电网应用中存在的问题,文章介绍了一种应用在10kV高压配电网中的复合开关。与机械开关和电力电子开关相比,该种复合开关的主要优点在于它具备了电力电子开关能够过零投切的优点,同时又具有机械开关工作稳定、无损耗等优点,从而使得开关及用电设备的寿命延长,具有很高的实用价值。     

电荷泵技术在高压 MOS晶体管可靠性研究中的应用

主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用.使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性.使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息.     

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。     

高压大功率变频器主电路拓扑和控制策略

本文对高压在功率变频器的拓朴结构和控制策略进行了分析的介绍，并给出了一些仿真和实验波形。     

智能化中高压变频器实载试验平台的实现

中、高压变频器产量越来越多，但试验手段大多比较落后，一般采用带电机空转的方法。本文介绍了一个高压变频器试验平台，通过该平台可以对电压等级在3kV～10kV、功率在5000kW以下的变频器进行实载试验。     

1300V,1600V高压IGBT的实现

本文基于理论分析和实验研究，分别在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋外延和硅单晶基片上实现了１３００Ｖ及１６００Ｖ高压ＩＧＢＴ；并进而证实了获得高压ＩＧＢＴ相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化，低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术，和复合高压终端结构的叠加组合形成。