小型高压小流量轴流风机设计理论

应用积分方法求解轴流风机径向平衡方程，扩大了方程稳定解的范围，同时应用叶栅理论计算小尺寸的高压轴流风机的损失，并采用压缩机叶栅的实验修正数据，设计了一台高压小流量轴流风机，通过ＧＢ１２３６－８５风机标准试验，基本达到设计要求。     

美国对高压直流穿墙套管外闪问题的研究

高压直流穿墙套管在受到不均匀淋雨情况时可能导致闪络放电,为此美国一些运行单位采用了施涂RTV(室温流化层)的措施,我国±500kV葛上线的两侧换流站中亦应用了该措施,其效果究竟如何是个令人感兴趣的问题。本文综述了这方面开展的工作,同时介绍了其它一些可采纳的方法。     

新型银铁电触头材料试验研究

对采用粉末冶金与化学热处理相结合的方法研制的电触头材料进行了理化性能、显微组织和抗氧化性能试验，探讨其机理及对性能的影响因素。试验表明：所研制的触头的理化性能基本达到了国标规定的相近触头的指标，其显微组织和抗氧比性能则优于国标规定。Ａ＿（ｃ４）加速模拟电寿命试验的结果证实该种触头材料应用前景良好。     

高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

CCD多路开关组件的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。     

IGBT开关励磁的原理及应用

本文给出了新型功率半导体器件（ＩＧＢＴ）的基本特性和驱动方法，及其工作在开关状态下的功率损耗计算方法。同时讨论了ＩＧＢＴ在开关励磁中的应用和原理，给出了开关励磁磁磁装置的基本输出输入关系。最后，本文指出相对于可控硅励磁，开关励磁在控制和驱动方面具有突出的优点。     

多回不共端高压输电线路互感参数的带电测试

提出一种用于带电测量输电线路互感参数的新方法。该方法采用全球卫星定位系统（ＧＰＳ）送出的时间同步信号作为各测量点的同步采样基准，解决了不同端线路互感参数带电测量的同时性问题。文中对该方法进行了理论上的分析，对于于带电测量互感的计算机系统的硬件组成进行了介绍。该装置已成功地用于实际之中。