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151.
蒸馏与减粘热联合装置的设备腐蚀及防护   总被引:4,自引:2,他引:2  
介绍了锦西石化分公司南蒸馏与减粘热联合装置炼制辽河高酸值原油及带炼高硫进口油在 2 0 0~40 0℃范围内对设备、管线和阀门的腐蚀特点、腐蚀机理以及针对高温环烷酸腐蚀所采取的防护措施。通过试验和理论分析 ,提出了应用新材料和新工艺解决减粘后高温渣油系统的腐蚀及低温露点腐蚀的建议  相似文献   
152.
矿用圆环链弯曲点的角度分布   总被引:2,自引:1,他引:1  
方英  李元生 《煤炭学报》2002,27(4):422-424
矿用圆环链弯曲点是应力集中点 ,肩部断裂发生于该点附近 .以 2 6× 92矿用圆环链为研究对象 ,应用方向数据统计导出该点的角度分布 ,并给出了批量检验矿用圆环链尺寸匹配状况的一种方法  相似文献   
153.
自动焊技术在涩宁兰输气管道X70钢试验段上的应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
通过涩宁兰输气管道X70钢试验段的施工,进一步探索和完善自动焊接技术在高强钢管道焊接中的应用。文章介绍了该试验段施工的焊接设备、焊材和焊接工艺,可为同类焊接工程提供借鉴。  相似文献   
154.
曾朝晖  严泽生 《钢管》2002,31(3):20-21
对无缝钢管生产所用的内壁除鳞材料———除氧化物剂中各个组分的性质和作用进行了阐述,提出了除氧化物剂的除氧机理。  相似文献   
155.
文立 《世界电信》2002,15(7):18-20
我国移动电话用户数已跃居世界第一位,且依然蕴藏着巨大的商机。由此不但引发了日趋激烈的市场竞争,而且造成了产品质量投诉量的居高不下,其中对于存在先天设计缺陷产品的处理目前在我国尚无法可依。国际上对缺陷产品实行的召回制度同样适用于我国。这是市场经济规则的需要,也是商家诚信作风的体现。我国已融入世界经济大潮之中,目前建立手机召回制度是必要和适时的。对生产企业而言,一旦发现缺陷产品流入市场,即刻确认并将其召回是明智之举。  相似文献   
156.
修正步冷温度曲线试验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
按修正步冷温度曲线对经步冷脆化的 2 .2 5Cr 1Mo和在加氢反应器内运行 5a的 2 2 5Cr 1Mo试块进行了修正步冷试验 ,评定了材料的回火脆性。结果表明 ,按修正步冷曲线进行修正步冷试验能使已经脆化的材料进一步脆化 ,为加氢反应器材料损伤的研究提供了一条途径。  相似文献   
157.
轻钢结构屋面的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
梁春 《山西建筑》2002,28(5):43-44
针对轻钢结构构屋面系统的性能、特点、构造和施工方法进行了论述,介绍了与传统建筑形成对照的一种新型结构形式,使传统的重盖、肥梁、胖柱、色彩单一的建筑状况得到改善。轻钢结构的优点将使它的生产规模、适用范围不断扩大,从而以其漂亮的外和合理的造价美化人类的生活环境。  相似文献   
158.
李军峰  温宏伟  王岁喜 《焊管》2002,25(5):48-50
介绍了钢管减阻型内涂层技术的生产工艺和主要设备,给出了内涂层生产线典型的工艺布置,并对主要设备的组成及工作原理进行了介绍。  相似文献   
159.
谷宁  李春梅 《材料保护》2002,35(7):20-21
采用动电势扫描法测定了不同体系中碳钢发生点蚀的临界电势Eb。结果表明 :当Cl- 浓度 <0 .0 1mol/L时 ,随Cl- 浓度增加 ,临界电势负移并与Cl- 浓度成线性关系 ;pH值在 7~ 11之间 ,随pH值增加 ,临界电势正移并与pH值成线性关系 ;随温度增加 ,临界电势负移并与温度成线性关系。  相似文献   
160.
Si1-x-yGexCy ternary alloy films were grown on monocrystalline silicon substrates by C ion implantation and subsequent solid phase epitaxy (SPE). Two-step anneal-ing technique was employed in the SPE. The structure and electrical properties of the alloy films were determined using Fourier transform infrared spectroscopy and van der Pauw Hall measurements, respectively. With the optimization of two-step anneal-ing technique for the implanted Si1-x-yGexCy layers, a certain amount of C atoms occupied substitutional sites and no SiC was formed.  相似文献   
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