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周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性 总被引:2,自引:0,他引:2
实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4~120℃)和极化周期(28.5~30.5 μm),实现了信号光在1449.6~1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm. 相似文献
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Massimo Conti Paolo Crippa Simone Orcioni Marcello Pesare Claudio Turchetti Loris Vendrame Silvia Lucherini 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2003,37(2):85-102
In this paper a novel CAD methodology for yield enhancement of VLSI CMOS circuits including random device variations is presented. The methodology is based on a preliminary characterization of the technological process by means of specific test chips for accurate mismatch modeling. To this purpose, a very accurate position-dependent parameter mismatch model has been formulated and extracted. Finally a CAD tool implementing this model has been developed. The tool is fully integrated in an environment of existing commercial tools and it has been experimented in the STMicroelectronics Flash Memory CAD Group.As an example of application, a bandgap reference circuit has been considered and the results obtained from simulations have been compared with experimental data. Furthermore, the methodology has been applied to the read path of a complex Flash Memory produced by STMicroelectronics, consisting of about 16,000 MOSFETs. Measurements of electrical performances have confirmed the validity of the methodology, and the accuracy of both the mismatch model and the simulation flow. 相似文献
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自发参量下转换光场的实验研究进展综述 总被引:1,自引:0,他引:1
自发参量下转换(spontaneous parametric down-conversion,SPDC)光场是基于单色泵浦光子流和量子真空噪声对非线性晶体的综合作用而产生的,它固有的量子起源决定了在非经典光场研究中的重要地位和作用.对SPDC光场的相干特性和它在绝对测量光电探测器量子效率中的应用进行了深入而细致的研究和探讨. 相似文献