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传统的数据采集器多采用Inte151系列或Inte196系列的CPU,运算能力差,速度慢,精度低,尤其是浮点运算能力限制了技术指标的进一步提高。有鉴于此,各科研单位及数据采集器产家正积极开发新一代的数据采集器。如采用高性能的嵌入式芯片,或带有数字信号处理功能的芯片等。TI公司的TMS320VC33数字信号处理芯片已能支持高达150MFLOPS的运行速度,是需浮点运算的电子产品应用场合中一种较理想的微处理器件。 相似文献
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介绍SAW匹配滤波器的基本结构和设计,基于FPGA设计的数字相关器,对前端模数/转换器在采样采得的数据进行希尔波特变换,再与本地序列做相关运算,最后将相关结果送给DSP,供DSP做进一步的处理。阐述了FPGA内部子模块的功能和设计实现方法,对所设计的FPGA数字相关器进行了仿真和校验,结果达到了设计要求。 相似文献
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把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV~4.8eV(442nm~250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。 相似文献
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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
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赵英 《信息技术与标准化》2006,(11):15-16
1关于IEC/TC110
IEC/TC110平板显示技术委员会是由IEC/TC47/SC47C平板显示器件(FPD)分技术委员会于2002年IEC年会上提出,并于2003年7月由IEC中央办公室确定从IEC/TC47中分离出来新成立的技术委员会。 相似文献
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高线性模拟光耦HCNR201原理及其在检测电路中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
HCNR201是HP公司生产的高线性度模拟光电耦合器 ,它具有很高的线性度和灵敏度 ,可在检测系统中精确地传送电压信号。文中介绍了高线性度模拟光耦HCNR201的内部结构和工作原理 ,给出了用HCNR201和运算放大器实现检测电压的隔离传输电路。 相似文献
60.
2003年2月,上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0.18微米半导体工艺,具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定:属于同内首创,达到了国际先进水平,是中国芯片发展史上重要的里程碑。 相似文献