H.264变换编码与量化原理分析

详细分析了 H .2 64视频编码标准中的整数变换和量化过程。 H .2 64采用 4× 4整数变换 ,并将尺度调整融合在量化过程中 ,降低变换算法复杂度和减少乘法次数 ,相对于以前的编码标准更加有效     

基于SAA7114H的视频图象采集系统的设计

介绍一种高度集成并具有广泛通用性的视频图象信号采集系统。系统的开发采用了功能强大的视频解码芯片SAA7114H和可编程逻辑门阵列器件(FPGA)，并考虑了在线编程的模式。文中给出了YUV色彩空间与RGB色彩空间的转换公式，经验证效果很好。在实际应用中，该系统作为前端图象采集部分取得了良好的效果。     

H.264变换编码与量化原理及优化研究

本文分析了H.264视频编码标准中的整数变换和量化过程。H.264采用从DCT变换演化而来的4×4整数变换,使变换算法复杂度减小,同时消除了浮点运算导致的失配现象。将尺度调整融合在量化过程中,减少乘法次数,使H.264标准相对于以前的编码标准更加有效。同时通过采用SSE2指令,实现H.264变换与量化的优化算法,实验结果表明此算法有效地提高了编码速度。     

基于FSM的Megaco控制关系研究

研究UMTS核心网中MSC服务器与MGW之间的Megaco控制关系，提出了基于事件驱动的控制关联状态机模型，分析状态机的状态迁移。基于Megaco／H．248协议的服务改变命令．分析状态机的处理机制。     

Bicyclic sesquiterpenoids as maturity indicator in oils of Qingdong Sag,Bohai Bay Basin,China

Immature oils were proved to be existed in Es₄^u reservoirs based on GC-MS and carbon isotope analysis of oil sand and source rocks in Qingdong sag. By comprehensive discussion with compositional data from different sags in China, bicyclic sesquiterpenoids are related to thermal maturity and can be used in oil maturity identification. A new indicator, 4,4,8,9,9-pentamethyl decahydronaphthalene /8β(H)-homodrimane, is proposed for distinguishing immature and mature oils in the study area. It signifies mature when this ratio value is higher than 0.34, and immature when the value is lower than 0.34. The varying structures of the two compounds determines their stability.     

电子辐照下碳膜中氢原子行为的研究

本文通过共振核反应与红外吸收两种实验方法,对用PECVD法淀积的非晶碳膜中氢原子在不同剂量电子辐照下的行为,进行了深入的研究.不同剂量的电子辐照,使碳膜样品中的氢含量大小及氢原子的存在方式等有不同程度的变化.     

红外可调谐NaCl(OH~-)∶(F_2~+)_H色心激光

采用我们研制的优质Nacl(OH~-)∶(F_2~+)_H色心晶体作激光介质,在X型激光腔中,实现了中心波长为1.57μm,可调谐波段为1.40～1.75μm的低温红外连续可调谐色心激光运转。探讨了(F_2~+)_H心的几个吸收带,激光输出与工作介质和辅助光的关系等问题。     

采样／保持放大器（Ⅰ）

本文较全面地综合介绍了国外采样(跟踪)/保持放大器的设计。采/保放大器在数据采集、数据分配和模拟信号处理系统中获得了广泛应用。是高速、高分辨率A/D转换器件不可分割的一部分。重点介绍开环结构的采样/保持放大器、闭环结构的高精度采样/保持放大器(双极)、全差分高速跟踪/保持放大器(BiCMOS)和超高速采样/保持放大器(GaAs)的设计。还将介绍有关术语定义、器件发展概况及其应用。     

氢化非晶硅在器件表面钝化工艺上的应用

氢化非晶硅具有半绝缘、富含氢和电中性等特点。本文概述了非晶硅的表面钝化工艺及其钝化效果,对其钝化机理也进行了讨论.     

瞬态电荷收集法研究a—Si：H／a—SiN：H界面处的电子积累＊

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10~(11)/cm~2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。