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自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。 相似文献
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WUGui－lin LIUQing 《电子显微学报》2002,21(5):705-706
ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎｂａｃｋ ｓｃａｔｔｅｒｅｄｐａｔｔｅｒｎ (ＥＢＳＰ)ａｎａｌｙｓｉｓｉｎｔｈｅｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅａｓａｔｏｏｌｆｏｒｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｎｇｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｈａｓｂｅｅｎｗｅｌｌｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ .Ｔｈｉｓｔｅｃｈｎｉｑｕｅｈａｓｍａｎｙａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｖｅｒｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ .Ａｄｒａｗｂａｃｋｏｆｔｈｉｓｔｅｃｈｎｉｑｕｅｉｓｔｈｅａｎｇｕｌａｒｒｅｓｏ… 相似文献
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碳酸盐岩红土中氧化铁矿物的穆斯堡尔谱学研究 总被引：2，自引：0，他引：2
本在高梯度磁选法分离红土中氧化铁矿物基础上，动用穆斯堡尔谱学方法对红土吉氧化铁矿物进行了系统研究，并建立起红土中氧化铁矿物分析流程和研究方法体系。 相似文献
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在很多金属材料中 ,界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用。随着电子显微学的进步 ,电子能量损失谱 (ＥＥＬＳ)已被用来研究界面处的性能。例如 ,对Ｎｉ3 Ａｌ晶界处电子能量损失谱的研究表明 ,Ｂ在晶界处的偏聚改变了晶界处的电子态 ,从而对于改善Ｎｉ3 Ａｌ的脆性具有明显的作用[1,2 ] 。在过渡金属的合金中 ,如下的定性结论可以判别界面处键合的趋势 :当界面处ＥＥＬＳ谱的白线较块体高且尖锐的情况下 ,界面处强度比块体低 ,界面为易断裂处 ;如果界面处的白线强度比块体较低 ,且有展宽效应 ,则界面处的强度高于块体强… 相似文献