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该文通过1 400℃固相烧结制备出Zn2+和Sn4+共取代的Y3Fe5-2xZnxSnxO12(x=0~0.35)铁氧体材料,详细研究了离子取代量对钇铁石榴石铁氧体微观结构及磁性能的影响。研究表明,Zn2+、Sn4+都进入了钇铁石榴石铁氧体的晶格中。随着离子取代量的增加,钇铁石榴石铁氧体的密度与饱和磁化强度先增大后减小;其磁损耗则先减小后增大,在x=0.25时磁损耗取得最小值。该研究进一步说明了Zn2+和Sn4+取代在一定范围内可有效降低材料的磁损耗及控制材料的饱和磁化强度。 相似文献
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佛山天财东宝科技有限公司 《电声技术》2005,(2):72-72
佛山天财东宝科技有限公司成功研发了TOBO数字音频功率放大器,其特有的多种优越性取代模拟功放是发展的必然趋势。 相似文献
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为了满足液晶光学器件快速响应的要求,采用有机合成方法获得了6种单氟取代苯基二苯乙炔基异硫氰酸酯类液晶化合物。首先用IR和1HNMR对6种单氟取代液晶化合物的结构进行了表征,其次通过差热分析对其相变温度进行了测试,利用液晶综合参数测试仪对其液晶性能进行了研究。红外和核磁图谱表明合成的化合物即为目标化合物;差热分析获知这些化合物90℃左右进入液晶相,并且氟取代位置在与异硫氰酸酯基相连苯环的2号位置时有相对较低的熔点,最低的熔点可达到83.4℃;液晶综合参数测试结果表明这6种化合物的Δn值为0.432~0.681,同时氟取代位置在与异硫氰酸酯基相连苯环的3号位置时有相对更佳的响应性能。这些化合物在制备快速响应液晶光学器件中可能会有潜在的应用价值。 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-31G方法,对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化。在所得优化结构的基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析,并采用含时密度泛函理论(TD-DFT)方法计算了其电子性质,研究了取代位置对香豆素类衍生物分子的二阶NLO性质的影响规律。结果表明:当氨基取代在4号位时香豆素分子中的羰基表现出供电性,对分子内电荷转移非常不利,不利于提高分子的β值;当氨基取代在在3、5、6、7、8位时分子中的羰基表现出吸电性,使分子形成D-π-A构型,并且氨基在3、7位的取代能够扩大体系的共轭范围,有效增加了香豆素分子的βtot值。 相似文献
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