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基于单片机AT89C52的漏磁检测实验系统开发 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了基于单片机技术的漏磁检测系统。首先介绍了漏磁检测的原理,然后结合电子电路技术,单片机技术,开发了一套漏磁检测实验系统。该系统包括信号的采集,预处理,模/数转换,数据结果存储,数据串口发送。单片机的软件系统采用模块化设计,分为数据采集、数据存储、数据串口发送模块等。 相似文献
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针对管道液体泄漏的特点,提出一种泄漏预测方法并实施。首先介绍了液体泄漏预测的原理和方法,然后通过对液体泄漏检测仪的功能需求分析,建立了基于E-Web的检测仪功能模型。根据功能模型的要求,分别从软硬件的角度对检测仪的运行环境、体系结构、设计和实现方法进行深入的讨论。最后,指出在嵌入式设备网络化过程中应注意的一些关键问题。 相似文献
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《Ceramics International》2020,46(11):18690-18697
Bi0.9Er0.1Fe1−xMnxO3 (BEFMxO, x = 0.00–0.03) films are synthesized by a sol–gel technique. The BEFO film exhibits a conduction mechanism based on electron tunneling. The high applied electric field causes dissociation of the defect complex, and the resulting oxygen vacancies contribute to fake polarization. Consequently, the BEFO film has poor polarization stability at high applied electric fields. Coexistence of two phases (with space groups R3c:H and R3m:R) and reduced concentrations of oxygen vacancies and Fe2+ in BEFMxO are achieved by co-doping with Er and Mn. The presence of bulk-based conduction in the BEFMxO films then leads to ferroelectric domain switching contributing to the real polarization and to excellent ferroelectric stability. In addition, the BEFM0.02O film shows a typical symmetrical butterfly curve, the highest remnant polarization of ~109 μC/cm2, and the highest switching current of ~1.66 mA. It also has the smallest oxygen vacancy concentration and thus the smallest amount of defect complex, which means that there are fewer pinning effects on ferroelectric domains and therefore excellent ferroelectric stability. This excellent ferroelectric stability makes the BEFMxO films obtain good stability and reliability in the application of ferroelectric memory devices. 相似文献
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介绍了螺旋密封的两种基本结构、工作原理及封液能力的计算和设计方法,得出螺旋密封无泄漏的条件。通过试验,验证了旋向问题的重要性,为螺旋密封的应用提供了经验。 相似文献
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Fe-doped Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST) thin films have been fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrate using the sol–gel method. The structural and surface morphology, dielectric, and leakage current properties of undoped and 1 mol% and 2 mol% Fe-doped BST thin films have been studied in detail. The results demonstrate that the Fe-doped BST films exhibit improved dielectric loss, tunability, and leakage current characteristics as compared to the undoped BST thin films. The improved figure of merit (FOM) of Fe-doped BST thin film suggests a strong potential for utilization in microwave tunable devices. 相似文献
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Using the advantages of low-temperature crystallization and high orientation in Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3 (PLCT) film, a dense PLCT/porous PLCT/dense PLCT sandwich structure was obtained in the present study. It is found that dense PLCT layer can both sustain the porous density in the core layer and also lead to better preferential orientation of the sandwich structure. In the sandwich structure, low dielectric constant (εr = 43) and leakage current density (J < 9 × 10− 5A/cm2) are simultaneously achieved. Because of high orientation in sandwich structure, the pyrocoefficient (p > 185 µC/m2 K) is still keeping a relatively large value. The resulting high figure of merit (FV′ = 4.5 µC/m2 K, Fd′ = 228 µC/m2 K) make the sandwich structure films good candidate for pyroelectric thin-film devices. 相似文献