基于实体模型的三维真实感流动模拟软件的研究与开发

注射成型的流动模拟在预测复杂薄壁型腔的流动行为方面已经比较准确。现行的数值方法主要采用基于中性层的有限元／有限差分／控制体积法,但中性层模型的引入使得模拟软件在应用中具有极大的局限性。本文采用实体模型取代中性层模型,开发了三维真实感流动模拟软件。最后,应用实例证明此模型能够处理由流行CAD系统生成的复杂型腔模型。     

高纯四溴双酚A双(2,3-二溴丙基)醚合成新工艺

研究了合成阻燃剂四溴双酚A双(2，3-二溴丙基)醚的新工艺，特点是通过加入表面活性剂TABS、催化剂SB和表面活性剂A的方法，提高产品纯度和降低游离酸的含量，成品的炭化温度为295℃，纯度大于95％。     

The geometry of flex tangents to a cubic curve and its parameterizations

We show how the study of the geometry of the nine flex tangents to a cubic produces pseudo-parameterizations, including the ones given by Icart, Kammerer, Lercier, Renault and Farashahi, and infinitely many new ones.     

模拟抗原（Ac-NK16-Ahx-3）免疫反应抗体ELISA检测方法研究

为满足实验室单克隆抗体的制备研究,本实验特对实验室常用的制备单抗的模拟抗原（Ac-NK16-Ahx-3）进行ELISA间接法检测,进而建立一种高效的检测方法。通过对不同稀释度待测抗体的免疫吸附测定,检测出它的最终灵敏度为0.078mg/mL,最佳二抗稀释倍数为300倍,其最佳拟合曲线为y=-0.0732x＋0.6875,R2=0.8619。并且,通过统计学方法进行统计分析,确定出各实验组的相关性及变异系数,从而排除实验中的操作误差,最终可确定最佳的实验条件,并保证实验的准确性。     

钴钇掺杂（Ba,Sr）TiO_3基介电陶瓷的制备与性能研究

采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3＋、Co3＋的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗（tanδ）为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。     

基于OpenGL的二维电法数据三维可视化技术研究

结合目前电法勘探数据成图及二维解释的特点及存在的局限性,研究了OpenGL和VC＋＋2005联合编程,结合二维剖面数据特点,研制了基于OpenGL的电法数据三维可视化系统Geo3DVis。Geo3DVis的基本功能包括工区建立、二维解释、三维显示;实现了对二维剖面数据的动态放大、缩小、平移等交互操作。将Geo3DVis应用于实际二维物探数据资料解释,取得了良好的地质效果。     

基于物联网与3G整合的电子商务应用资金流探析

文章在简要介绍物联网与3G网络的基础上,阐述了物联网与3G整合背景下电子商务资金流所具备的特点,进而论述了此背景下资金流的优化和作用,最后重点分析了整合背景下电子商务资金流的两个应用案例。     

西门子SIMOTION Delta 3D picker模型应用

本文主要介绍SIMOTION运动控制系统中Delta 3D picker功能的实际应用,阐述了Delta 3D机构的控制参数设定、原点设置、三种路径插补功能在运动轨迹控制中的应用。     

一种嵌入式运动控制系统的硬件设计

运动控制技术是制造业中的一项重要技术,它的发展将极大地提高现代制造业的整体水平。本文分析了在工业运动控制器中经常用到的关键技术,并设计了一套嵌入式运动控制系统的硬件结构。     

Growth and characterization of Si doped vapor phase epitaxial GaAs for mesfet

This paper describes the Si-doping of GaAs that was grown using the AsCl₃:H₂:GaAs, Ga Chemical vapor deposition process. The doping sources were AsCl₃:SiCl₄ liquid solutions which proved to be highly reproducible for Si doping within the range, 1×1O¹⁶ to 2×10¹⁹ cm^?3. Incorporation of Si into the GaAs apparently occurs under near equilibrium conditions. This point is considered in detail and the consequences experimentally utilized to grow n, n+ bilayers using a single AsCl₃:SiCl₄ doping solution. Si impurity profiles based upon differential capacitance and SIMS data are presented. These can be very abrupt for n, n⁺ structures with order of magnitude changes occurring within 500 Å. For the 1×10₁₆ to 8×l0¹⁸ cm^?3 doped samples the mobilities at 78 and 298°K are comparable to the higher values reported for GaAs thin films grown by CVD. Power FET devices made from this material have demonstrated an output density of 0.86 watts/mm at 10 GHz.