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81.
82.
PZT,PT干凝胶的制备及应用 总被引:1,自引:1,他引:1
采用减压抽滤的方法成功制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3,PbTiO3干凝胶,并用STA449C差热分析仪表征了干凝胶的性能。干凝胶溶解后得到了性能优良的PZT薄膜和PZT/PT复合膜。采用X射线衍射技术表征了两种薄膜的微观结构及成相特征。薄膜的介电性能及漏电流性能由HP4284ALCR及Keithley6517A来确定。试验结果表明:用减压抽滤得到的干凝胶的方法,可以彻底解决溶胶凝胶中先体存放的问题,得到的铁电薄膜有优良的介电与铁电性能。PZT的相对介电常数与介质损耗分别为424,0.033,PT作为中间层的复合膜的相对介电常数和介质损耗分别为261,0.014;PT薄膜可以调整和改进PZT薄膜的性能,使之达到应用于热释电探测器的要求。 相似文献
83.
84.
硅基铁电薄膜的电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 ,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势 相似文献
85.
研究了退火对(1-x)PMN-xPT(x=0-0.34)陶瓷介电和压电性能的影响。分析了机理。结果表明,在PT含量较低时,退火使介电常数稍有提高;PT含量较高,接近准同型相界时,退火使介电常数有较大提高,尤其在居里温度附近,介电常数有显著提高。 相似文献
86.
87.
针对GIS中电压互感器中性点接地击穿同隙频繁击穿的现象,分析了击穿原因,指出击穿系由隔离开关操作引起的快速暂态过电压通过耦合电容的传遵而造成,并提出了经过实践检验的解决方法。 相似文献
88.
PT2262/PT2272编解码IC在视频切换矩阵中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种用PT2262/PT2272编解码IC制作的16×16视频切换矩阵的设计方案 ,给出了具体的电路图 ,同时在对其原理进行分析的基础上 ,指出了用该方案派生其它规格视频切换矩阵的基本思路。 相似文献
89.
90.