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81.
提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件-双极双栅MOS晶体管(BDGMOSFET),该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管(BJMOSFET),使之在正向工作时具有MOSFET和BJT的工作特性,通态电较小,同时,减少了寄生双极晶体管效应,改善了频率特性。文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究,在该模型基础上运用通用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法模拟了BDEMOSFET的直流特性,结果表明,在同等条件下,BDGMOSFET的电流密度比双栅MOSFET提高大约30%。 相似文献
82.
分析了功率因数偏低的原因,主要原因有原有低压无功补偿装置设计不合理,器件出现故障,不能提供系统所需的无功补偿功率。通过实例给出了无功补偿装置改造的具体做法,如加装电抗器,选用耐压等级合适的电容器,采用无功补偿装置专用交流接触器,并合理规划了无功补偿柜内散热通道。最后对改造前后的经济效益进行了分析。 相似文献
83.
从海缆的设计内容和方法、海缆系统远端供电系统的设计要求和海缆系统APS保护倒换方式等方面,详细介绍了海缆数字传输系统工程设计的要点。 相似文献
84.
为了提高无线携能通信(SWIPT)的效率,在基站采用3维(3D)定向天线,通过动态调整天线下倾角,来开发垂直维度,从而增强SWIPT中能量和信息的传输效率。该文研究单小区多输入多输出(MIMO)SWIPT系统,基站和用户分别使用迫零(ZF)预编码和功率划分(PS)技术。构建以最小化发送功率为目标的优化问题,在信噪比(SNR)和获取功率的约束下,联合优化了天线下倾角,PS比和分配的功率。最佳PS比和最优功率分配以闭合表达式给出。仿真表明,所得到的优化解的性能优于具有可调下倾角的常规MIMO系统和不考虑垂直维度的2维(2D)方案。 相似文献
85.
浅析微模块数据中心的关键技术 总被引:2,自引:0,他引:2
经过集装箱数据中心、模块化数据中心的发展热潮后,微模块数据中心进入人们的视野。其制冷、供电和服务器定制技术都有鲜明的特点。文章通过分析这些技术以及案例,提出只要解决了标准化、产业化等问题之后,微模块数据中心将会得到更快的发展。 相似文献
86.
This work is addressed to the investigation of the electro-thermal performance of RF-LDMOS transistors integrated in TF-SOI, TF-SOS and thinned TF-SOS substrates by means of numerical simulations. Reported experimental trap density, carrier mobility and capture cross-section values have been used together with sapphire datasheet thermal properties, in order to provide accurate simulation results. It is found that subthreshold characteristics are the same for all the analysed substrates while blocking-state, on-state and power dissipation process depends on the substrate type. 相似文献
87.
《Microelectronics Journal》2004,35(8):659-666
This paper discusses the benefits of a full-bridge output stage on integrated IGBT gate drive circuits. This full-bridge topology allows obtaining positive and negative gate voltages using a single floating power supply. Short circuit protections have also been integrated, implementing an original soft shutdown process after an IGBT short circuit fault. The monolithic integration is based on an innovative high-voltage CMOS technology for power integrated circuits, using a standard low cost CMOS technology, requiring only one extra processing step. Lateral power N- and P-MOS transistors have been optimized using 2D simulators attending both specific on-resistance and breakdown voltage in order to optimize the full-bridge output stage. The IGBT driver has been experimentally tested, producing ±15 V gate-to-emitter voltage, and supplying the current peaks required by the 600 V IGBT switching processes. The driver characteristic response times are adapted to work at high switching frequency (>25 kHz) with high value of capacitive loads (3.7 nF). 相似文献
88.
89.
Spectral Efficiency Evaluation for MRC Diversity Schemes Over Generalized Rician Fading Channels 总被引:1,自引:0,他引:1
Vidhyacharan Bhaskar 《International Journal of Wireless Information Networks》2007,14(3):209-223
In this paper, closed-form expressions for the capacities per unit bandwidth for generalized Rician fading channels are derived
for power and rate adaptation, constant transmit power, channel inversion with fixed rate, and truncated channel inversion
adaptation policies. The closed-form solutions are derived for the single antenna reception (without diversity combining)
and maximal-ratio combining (MRC) diversity cases. Truncated channel inversion adaptation policy is the best policy for the
single antenna reception case, while the channel inversion with fixed rate policy is the best policy for the MRC diversity
case. Constant transmit power policy provides the lowest spectral efficiency as compared to the other policies with and without
diversity. 相似文献
90.
通用的FPGA(Field Programmable Gate Array,现场可编程逻辑门阵列)验证平台在运行不同的应用时,其瞬态电流需求是不同的。本文以基于Xilinx公司的Virtex-4系列千万门级的FPGA高端IC验证平台为例,采用Cadence PCB PI(Power Integrity)分析软件,对多种地电平面、电容值、电容的放置位置、电容的类型等进行评估,然后通过修正电容数量和额定值,调整电容的布局以及封装等,达到符合要求的电源-地平面目标阻抗,从而将电源/地平面上的噪声降低到电源的要求范围内。本文提出的电源完整性分析方法,对其他类型的系统板级设计也有一定的指导意义。 相似文献