压电主动控制在减振和降噪中的应用

利用压电主动控制进行减振和降噪实验具有广阔的发展前景.该文设计了3个相关的方案:简支梁的减振、铝板的降噪和基座的减振.实验结果显示,对于单频信号减振和降噪的效果均可达90%,证明了通过压电主动控制来实现单频的减振和降噪的可行性和显著性.     

激光光斑测量系统的电路设计与实现

为了直接测量远场激光光斑,设计开发了一套基于热释电探测器阵列靶的激光光斑测量系统。针对热释电探测器噪声特性,将探测器响应信号通过前置放大、增益放大、峰值保持、A/D采集等电路处理,最后由主控计算机存储光斑信息,并对光斑图像进行分析处理。通过实际的远场激光测试实验,验证了该设计能够有效测量远场激光光斑。     

干涉式逆合成孔径雷达成像技术综述

干涉式逆合成孔径雷达（InISAR）成像是一种将干涉技术与逆合成孔径分辨相结合的高分辨雷达三维成像方法,能够实现对远距离运动目标全天候、全天时的三维成像,在军事和民用领域都呈现出广泛的应用前景和实用价值。其基本思想是利用位置分布不同的多个天线获取成一定视角差的多幅逆合成孔径雷达（ISAR）复图像,实现目标散射中心的二维分辨,然后通过干涉相位处理,恢复出目标散射中心的真实三维分布。本文综述了InISAR三维成像的理论框架,回顾了InISAR成像技术的发展历程,着重对图像配准、相位解缠绕、运动补偿、斜视、基线配置等关键技术难点进行了分析和评估,明确了研究中存在的问题,阐述了有待进一步研究的方向,最后对InISAR的发展现状和趋势进行了总结和展望。      

基于PSO_BP神经网络的射频功放行为模型

神经网络具有模拟任意非线性系统的优势。考虑到射频功放的非线性和记忆效应,在BP神经网络模型的基础上,提出一种基于PSO的BP神经网络射频功放行为模型。利用飞思卡尔(Freescale)半导体晶体管MRF6S21140器件模型及设计的电路,从ADS中导出输入输出数据,对模型进行了仿真实现,得出输出电压幅度的拟合曲线以及均方根误差,并与BP神经网络模型进行比较。仿真结果表明,所提模型具有较高的精度和较好的逼近能力,可以精确模拟功率放大器的特性,对系统仿真的构建具有重要的应用价值。     

多约束条件下三维最优末制导律及仿真研究

为使某飞行器攻击目标时达到最大毁伤效果,其末制导导引律的设计除应满足落点精度、飞行时间、能量消耗的要求外,终端时刻还需满足落角、入射方位角等末端角约束条件。根据弹目相对运动方程,并考虑落角约束条件,设计了一种多约束条件下三维最优末制导律方案。典型弹道三自由度仿真验证了该末制导律的精确性和有效性。     

SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展

概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。     

多信道WDM系统非线性相位噪声的研究

利用在频率范围内的噪声传输函数研究当色散主导和非线性主导时非线性相位噪声传输,并基于多信道多光纤段的WDM系统,利用LEM-SSFM数值方法计算非线性光纤系统的SNR,从传输距离,信号功率和放大器的数量三个角度研究非线性相位噪声的传输及其对系统性能的影响。     

深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响.     

一种CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型

采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管(ISFET),若在栅极氧化层之上保留多晶硅层,并通过引线使其与 外界的金属层相连作为悬浮的栅极,可实现悬浮栅结构ISFET.从ISFET的传感机理出发,根据表面基模型,利用HSPICE建 立了悬浮栅结构ISFET的物理模型.以该模型为研究对象,探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电...     

Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications

An optimized modeling method of 8 × 100 μm AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) for accurate continuous wave (CW) and pulsed power simulations is proposed. Since the self-heating effect can occur during the continuous operation, the power gain from the continuous operation significantly decreases when compared to a pulsed power operation. This paper extracts power performances of different device models from different quiescent biases of pulsed current-voltage (I-V) measurements and compared them in order to determine the most suitable device model for CW and pulse RF microwave power amplifier design. The simulated output power and gain results of the models at V_gs = -3.5 V, V_ds = 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.