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91.
介绍了2006年SEG年会上所反映的各向异性研究的新进展,主要包括:提高速度分析精度的各向异性速度分析参数正交化方法;影响裂隙储层预测的地震波动力学与运动学特征差异分析;验证现行裂隙硬币理论模型可靠性的不规则裂隙有效弹性参数计算分析;提高计算效率的波场延拓各向异性参数参考值优选Lloyd算法;常见TTI介质不同成像方法试验效果的比较。  相似文献   
92.
采用美国PDI公司开发的PDI-S软件,对不同缺陷基桩的反射波法低应变动测曲线进行数值模拟,对动测曲线的特征进行归纳与总结,以便在解释反射波法曲线时作为参考与借鉴,提高基桩质量检测的可靠度。  相似文献   
93.
《Drying Technology》2007,25(11):1803-1808
Malting is a very intensive, energy-consuming process and, from the point of view of energy, green malt drying is one of the most important operations. Double-deck kiln drying, a variant of single-deck kiln drying, is the most commonly used process, but it is usually manually controlled under empirical control actions. These are the reasons why a research project was carried out based on the computer modeling of these process operations including a software tool named CIMFOOD. A knowledge-based system (KBS) allowing the entire processing-plant dynamic behavior simulation and scheduling concerning thermal energy requirements was developed.  相似文献   
94.
矿产资源开发利用后的废弃物堆场常处水文地质条件复杂、区域内外边界不规整的地带。为了客观评价堆场渗漏对地下水及其水质的影响,本文提出了适宜于复杂水文地质条件、复杂内外边界条件的地下水与地下水中污染物分布规律联合模拟分析的非构造网格FVM数值模型,通过在某化工行业尾矿堆场渗漏评价的具体应用,取得了很满意的结果。  相似文献   
95.
弱凝胶调驱降维数值模拟方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
目前用于弱凝胶调驱的化学驱软件大多存在计算速度慢、数值弥散现象严重的问题,为了提高弱凝胶调驱数值模拟的速度和精度,提出了降低维数的模拟方法。利用追踪流线的方法,将弱凝胶调驱的三维渗流问题,转化为沿流线计算饱和度的一维问题,大大降低了求解饱和度方程组中方程的数目,从而提高了计算速度。利用该方法,模拟了玉门老君庙油田一个试验井区的水驱开发历史,优化了弱凝胶调驱的注入浓度、注入速度及注入体积等参数,并预测了弱凝胶调驱的动态,预测该方案可提高采收率7.6%。  相似文献   
96.
The performance of the water balance and crop growth model SIMWASER to estimate the water supply of a lawn by capillary rise from shallow ground water was investigated by using lysimeter measurements with a sandy and a clayey soil. Moreover the robustness of the model was evaluated by running it either with measured hydraulic soil parameters or with estimated pedotransfer functions (PTFs) derived from texture and bulk density. Simulations were performed for the years 1996–1998 with input data from the lysimeter station Berlin-Dahlem (Germany) for lysimeters containing undisturbed sandy or clayey soil monoliths, with groundwater at 135 cm depth. Simulated evapotranspiration and percolation/capillary rise were in good agreement with the measured data for all variants, while simulated soil water storage was acceptable only for the variants using hydraulic soil data based on laboratory measurements or using PTFs derived from known soil class and bulk density. PTFs based on mean total pore volume of the respective soil classes yielded soil water storages which were evidently too high; therefore they should be used with care and must be avoided at all in simulating the soil water balance of arid sites with shallow groundwater.  相似文献   
97.
通信网络设计是数字化变电站系统设计的核心内容之一,直接关系到数据传输的实时性和变电站各种功能的实现。文中提出了利用网络仿真平台对变电站通信网络进行设计的构想,分析了在数字化变电站不同的发展阶段,通信网络设计的主要内容和网络仿真平台的主要功能及意义,介绍了其结构和仿真流程,重点讨论了仿真模型、仿真内核、通信分析器等开发过程中需要解决的几个关键问题。  相似文献   
98.
Understanding how the structure of the unit-cell affects the cryogenic performance of a Si power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an important step toward optimizing of the device for cryogenic operations. In this paper, numerical simulations of the Si power Double Diffused MOSFET’ (DMOS) are performed at room temperature and cryogenic temperatures. Physically based models for temperature dependent silicon properties are employed in the simulations. The performances of power DMOS’ with various unit-cell structures are compared at both room temperature and low temperatures. The effect of the cell structure on the on-resistance and breakdown voltage of the device are analyzed. The simulation results suggest that the device optimized for room temperature operation can be further optimized at cryogenic temperatures.  相似文献   
99.
1 . INTRODUCTIONTheturbulentstructuresinnon circularductsandopenchannelsarecharacterizedbylongitudi nalvortices .Thesevorticesareth  相似文献   
100.
Hot electron transport across graded compound semiconductor heterojunctions has been explored using a two-dimensional formulation of the self-consistent ensemble Monte Carlo method. The AlxGa1-xAs/GaAs heterojunction imbedded into a vertical field effect transistor with two ohmic contacts (source, drain) and two lateral Schottky gates has been used as an example. Lateral space charges modulated by the gates are shown to control ballistic injection of electrons over the heterojunction under steady state conditions. The transient response to a gate pulse is found to be determined by carrier transit from the heavily doped source contact region into the channel. A conceptual one-dimensional section model is used to explain the Monte Carlo results.  相似文献   
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