TCS不锈钢焊接接头CTOD断裂韧度试验研究

在TCS不锈钢前期焊接试验中发现其焊接接头热影响区的冲击吸收功值在熔合线附近较低,原因是接头热影响区晶粒粗大所致.为了解TCS不锈钢焊接接头发生脆性裂纹的温度,进行了TCS不锈钢焊接接头CTOD断裂韧度试验研究,试验结果得出了发生脆性裂纹的温度.从试验结果和使用情况得出相应的结论,为今后的进一步研究奠定了基础.     

R基团搜索技术用于硫代氨基甲酸酯类非核苷类逆转录酶抑制剂的分子设计

硫代氨基甲酸酯（TCS）被确认为一种新的非核苷类HIV-1逆转录酶抑制剂。本文采用基于R基团搜索技术的Topomer Co MFA方法。实验一对111个硫代氨基甲酸酯衍生物分子进行了三维定量构效关系分析,得到3D-QSAR模型的q^2为0.616,r^2为0.751,实验二对前60个分子进行同样的分析,得到q^2为0.777,r^2为0.913。两次实验结果表明所建立的模型在统计上都有较好的稳定性和预测能力,但相比之下,实验二更有利于抗艾滋病药物的设计。     

烟叶初烤颜色采集器的设计

针对烟叶初烤色度自动控制方法的研究.以TCS230颜色传感器为核心,设计与开发了一种适合烟叶初烤过程中使用的颜色采集器.本文通过对TCS230颜色传感器以及基于CH375的USB模块工作原理和特性指标的介绍,综合阐述了颜色采集器的设计方案,具体分析了软硬件设计,提出了一种利用USB主机方式保存实时数据的方法.     

TCS230的MCU平台颜色识别方法研究

给出了基于颜色传感器TCS230对物块颜色进行自动识别的方法。该方法在白平衡算法的基础上,运用RGB—YCbCr变换、颜色分布平面分割及RGB辅助判断的方法,能有效地消除环境亮度的干扰,实现颜色的准确判别。在采用MC9S12XS128最小系统设计的智能搬运小车平台中验证了该方法,为单片机平台上的颜色识别提供了参考。     

影响热导传感器气体检测性能的原因分析

热导气体传感器具有检测范围大,可检测多种气体,检测装置简单、成本低廉等许多优点,但也存在检测精度差、灵敏度低等缺陷,限制了该传感器的广泛应用。文中介绍了热导传感器气体检测的基本原理和传统的检测方法,根据传热学理论建立了热导传感器的热平衡方程,在此基础上对传统气体检测方法进行了分析和研究,得出了传感器温度随被测气体浓度的变化而变化的特性是影响气体检测性能的根本原因的结论,并指出采用恒温检测方法是一个有效的解决办法。     

考虑摩擦的球面切向接触刚度分形模型研究

为准确且方便地计算两球面的切向接触刚度（TCS）,在前期对两球面接触分形模型研究的基础上,通过引入考虑摩擦因素的弹塑性变形临界面积计算公式,并基于接触面切向刚度基本理论,建立了考虑摩擦因素的两球面切向接触刚度的分形模型。对模型进行了仿真分析,结果表明：切向接触刚度与法向载荷成正比关系;摩擦因数与切向接触刚度的关系因分形维数的变化而呈现出不同的规律;受到分形维数变化的影响,切向接触刚度随接触面材料特性参数和分形粗糙度幅值的增大而增大;在一定工况下,切向接触刚度在分形维数取1.5时达到最大,且当分形维数在1.5左右时,其值增大最快;球面内接触比外接触时的切向刚度大;随着曲率半径的增大,切向刚度增大。研究结果为后续开展高副结合面（如轴承等）润滑及动力学分析提供了理论基础。     

TCS不锈钢复合热源焊接热影响区晶粒长大的预测

根据等温条件下的铁索体晶粒长大公式,推导出了焊接热影响区(HAZ)铁索体晶粒长大的动力学方程,并结合焊接热循环的数值分析结果对TCS不锈钢热影响区晶粒长大进行了预测.在此基础上,对复合焊新型焊接工艺条件下TCS不锈钢HAZ的晶粒长大情况进行了数值计算,得到了3种工艺参数下TCS不锈钢复合焊HAZ内的晶粒尺寸.基于TCS不锈钢复合焊接接头的金相图片,测量了HAZ内的平均晶粒尺寸,对数值模拟结果进行了验证.初步讨论了晶粒尺寸随热循环温度的长大情况和热循环温度差异对晶粒长大的影响规律.     

四氯化硅氢化技术进展

四氯化硅作为西门法高纯多晶硅生产中产量最大的副产物,是一种具有强腐蚀性的毒害物质。目前,国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯化硅的最有效的方法是转化为三氯氢硅。着重介绍了热氢化、冷氢化、氯氢化、等离子体氢化等国内外四氯化硅氢化技术的工艺特点和研究进展。     

绿球藻TC品系提取液促进鼠肝癌细胞的生长

以长期热诱导建立了一种绿球藻(Chlorococcum infusioum)的嗜温品系,简称CTCS。在PBS(磷酸缓冲液)中的CTCS细胞提取液明显促进H_4肝癌细胞株在DME培养基和0.5％FSB(胎牛血清)中的生长。当CTCS提取液蛋白质浓度为12.4微克/毫升时,可使H_4肝癌细胞数量在6天中比对照(不加CTCS提取液)增加12.5倍。     

多晶硅生产过程中的硅渣浆处理

针对多晶硅生产TCS合成及冷氢化工艺中产生的副产物硅渣浆,结合污染物硅渣浆的主要成分,介绍了几种硅渣浆的无害化处理方法,包括水解法、干燥法、萃取法。