首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   11418篇
  免费   1230篇
  国内免费   672篇
电工技术   4021篇
综合类   887篇
化学工业   816篇
金属工艺   346篇
机械仪表   911篇
建筑科学   416篇
矿业工程   240篇
能源动力   468篇
轻工业   171篇
水利工程   167篇
石油天然气   289篇
武器工业   112篇
无线电   1524篇
一般工业技术   648篇
冶金工业   278篇
原子能技术   114篇
自动化技术   1912篇
  2024年   64篇
  2023年   155篇
  2022年   237篇
  2021年   289篇
  2020年   356篇
  2019年   280篇
  2018年   239篇
  2017年   315篇
  2016年   359篇
  2015年   437篇
  2014年   727篇
  2013年   642篇
  2012年   904篇
  2011年   981篇
  2010年   755篇
  2009年   751篇
  2008年   805篇
  2007年   923篇
  2006年   820篇
  2005年   715篇
  2004年   482篇
  2003年   469篇
  2002年   360篇
  2001年   286篇
  2000年   205篇
  1999年   149篇
  1998年   104篇
  1997年   86篇
  1996年   76篇
  1995年   78篇
  1994年   66篇
  1993年   36篇
  1992年   33篇
  1991年   41篇
  1990年   24篇
  1989年   23篇
  1988年   11篇
  1987年   6篇
  1986年   3篇
  1985年   4篇
  1984年   7篇
  1982年   2篇
  1979年   2篇
  1978年   2篇
  1976年   1篇
  1974年   1篇
  1966年   1篇
  1961年   2篇
  1959年   1篇
  1955年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。  相似文献   
82.
TFT-LCD中耦合电容Cpd影响因素的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
LCD显示效果依赖于液晶分子在电场作用下的旋转,液晶分子具有各向异性的介电常数,不同旋转角度的液晶分子,在相同电容器中,表现出不同的电容值。像素电极和数据线构成耦合电容器Cpd,过大的耦合电容Cpd值会导致数据线信号传输的延迟,影响像素电极周边液晶分子分布,使显示器的画面品质出现垂向块状云纹等不良。针对如何降低耦合电容Cpd值,本文对影响耦合电容Cpd的因素进行了一系列模拟,研究了耦合电容Cpd变化机理,得出了一系列降低耦合电容Cpd的结论。  相似文献   
83.
提出了利用液体介电常数的电子测量,实现一种快速、无辐射、非接触、低成本的液体违禁品探测的新方法。在研究了液体介电常数测量的理论,并结合具体应用场合的基础上,提出了基于平面板电容器原理的平面板电容传感器和改进型的梳妆电容传感器电极,从理论的角度上对电极的参数进行了探讨。通过实验证明了改进型的梳状电极能够在不开瓶取样的情况下,有效鉴别出在厚度为4mm以下的非金属容器中浓度50%以上的酒精和水,可以用于非接触式液体违禁品快速检测。  相似文献   
84.
针对物联网中RFID(radio frequency identification)系统的tag和reader的速率不匹配及其资源受限问题,从理论上对tag和reader之间的协作通信上下文进行分析,提出一种面向服务的RFID系统资源配置优化机制,该机制利用tag与reader的组件QoS(quality of service)信息建立闭环控制框架,使用3种控制策略根据其资源状态和类型调节QoS参数。通过实验对机制进行了性能分析和验证,结果表明,该优化机制有效地提高RFID系统的吞吐量,高效地使用系统资源,减少了能量消耗和reader-to-reader干扰。  相似文献   
85.
集散控制系统(DCS)是一种以微处理器为基础的分散型综合控制系统,目前已成为工业过程控制的主流系统。这里主要介绍了集散控制系统(DCS)在西山煤电集团五麟焦化厂1、2号焦炉地面除尘站控制系统中的应用、集散控制系统的特点以及本系统的配置和所实现的功能。实现了数据自动采集、处理、工艺画面显示、参数超限报警、设备故障报警和报表打印等功能,而且对主要工艺参数形成了历史趋势记录,随时查看,并设置了安全操作级别,既方便了管理,又使系统运行更加安全可靠。  相似文献   
86.
制备了包含双层半导体和金属纳米晶的MOS电容结构,研究了其在非挥发性存储器领域的应用。利用真空电子束蒸发技术,在二氧化硅介质中得到了半导体硅纳米晶和金属镍纳米晶。与包含单层纳米晶的MOS电容相比,这种包含双层异质纳米晶的MOS电容显示出更大的存储能力,且保留性能得到改善。说明顶层的金属纳米晶作为一层额外的电荷俘获层可以通过直接隧穿机制进一步延长保留时间和提高平带电压漂移量。  相似文献   
87.
GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析   总被引:13,自引:2,他引:13  
与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势.对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析.研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力.  相似文献   
88.
利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。  相似文献   
89.
研究了有机物对液钽电容器工作电解质闪火电压及电导率的影响。试验表明,适当的有机物加入工作电解质中,可以吸附在Ta2O5介质膜表面,减少阳极界面处阴离子的有效浓度,使工作电解质闪火电压适当提高。利用所研制的工作电解质浸渍装配成160 V/47μF的液钽电容器,经1 000 h高温负荷实验,测试结果表明电容器电性能良好。  相似文献   
90.
Experimental Research on Erbium-doped Superfluorescent Fiber Source   总被引:1,自引:0,他引:1  
The effects of the variations in fiber length, fiber mirror reflectance on efficiency and output power are experimentally investigated for erbium-doped double pass backward superfluorescent fiber sources (SFSs). The influence of fiber length on mean wavelength stability (MWS) has also been demonstrated. By incorporating a short section of un-pumped erbium-doped fiber (EDF) at the output port, the pump power dependent on MWS becomes independent of pumped EDF length. This is a novel phenomenon that hasn‘t been reported up to now,and should be helpful to SFS fabrication and theory analysis. By using a fiber Michelson interferometer as spectrum slicing component,a multi-wavelength fiber source (MWFS) with ~20 channels (from 1542nm to 1559nm) is got. The MWFS has a channel spacing of ~0. 8 nm which satisfies ITUstandard. The intensity fluctuation among channels is less than 0.5dB,and the extinction ratio of all channels is above 14dB. This kind of MWFS should be useful to wavelength division multiplexing systems.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号